[发明专利]一种具有连接头的喷射管有效
| 申请号: | 202011015780.9 | 申请日: | 2020-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN112342529B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
| 发明(设计)人: | 祝建敏;范明明;李长苏 | 申请(专利权)人: | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 郑汝珍 |
| 地址: | 310051 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 接头 喷射 | ||
本发明公开了一种具有连接头的喷射管,旨在解决连接头与喷射管本体的连接可靠性较差,寿命较短的不足。该发明包括喷射管本体和连接头,喷射管本体上设有进气孔,连接头包括装配管、转接头和包围块,装配管插装在转接头上,所述装配管插装在进气孔中且与进气孔适配,包围块与转接头抱合喷射管本体。该结构大大延长了使用周期,提供了一种稳定可靠的硅部件连接方式,排除了连接部位带入外部污染物的可能性。
技术领域
本发明涉及半导体硅材料制造技术领域,更具体地说,它涉及一种具有连接头的喷射管。
背景技术
随着中国半导体制造的高速发展,半导体设备及其消耗配件的需求与日俱增。硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料,一般通过拉晶、切片、倒角、磨片、腐蚀、背封、抛光、清洗等工艺过程做成的集成电路级半导体硅片。硅片热处理是半导体器件或电路加工过程中一个重要的工序,热处理包含CVD、氧化、扩散、退火等众多工艺,占据了集成电路制程工艺的大部分。将半导体硅片放在载体上,再放入炉管内进行处理,而这时候就需要一种用于往机台内通气的的通气管,这种通气管在业内被称作喷射管。POLY工艺在半导薄膜工艺中是使用最广泛的工艺之一。喷射管作为将工艺气体导入工艺腔体的关键性零部件,有着非常重要的作用。
喷射管的进气口连接有连接导入气体的管件,由于喷射管是刚性的,管件也通常为刚性的,二者的连接可靠性较差,寿命较短,检修的周期较为频繁,为了避免这种不足,亟需一种可以提高二者连接强度,使用寿命较长的喷射管。
中国专利公告号CN106191990B,名称为一种炉管的进气装置,包括:进气口,设于炉管工艺腔的侧壁下端,其连通外部反应气体管路;进气管,设于工艺腔内,其一端连接进气口,另一端封闭,进气管自下而上环绕工艺腔内的晶舟设置;多个喷嘴,沿进气管长度方向并面向晶舟均匀设置;工艺时,通过由进气口向进气管中通入反应气体,并由各喷嘴向晶舟喷射,使晶舟中的每层硅片都均匀接触到反应气体,同时,保持晶舟处于静止不动状态,以在保证产品厚度均匀性的同时,避免因晶舟旋转而带来颗粒污染。它的喷射换气密性较差、使用寿命较短。
发明内容
本发明克服了连接头与喷射管本体的连接可靠性较差,寿命较短的不足,提供了一种具有连接头的喷射管,它能连接头和喷射管本体之间的连接强度,提高使用寿命。
为了解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种具有连接头的喷射管,包括喷射管本体和连接头,喷射管本体上设有进气孔,连接头包括装配管、转接头和包围块,装配管插装在转接头上,所述装配管插装在进气孔中且与进气孔适配,包围块与转接头抱合喷射管本体。
喷射管本体的一端具有一个进气孔,另一端具有若干个出气孔,装配管插装并固定连接在转接块上,其端部略微凸出转接块。装配管凸出的端部插入到转接头的进气孔中,装配管与进气孔大小适配。将转接块沿装配管的轴线方向将装配管插入到进气孔中,直到转接块的端面贴合喷射管本体的管壁。喷射管本体在靠近进气孔一端装配一个硅质的堵头,该结构可以提高喷射管本体拆卸倾斜的便利性。转接头一前一后将喷射管本体包围包合固定。而装配管与进气孔轮廓接近的特点使得喷射管本体与连接定位准确。通过上述结构实现了装配管和喷射管本体之间的连接可靠,强度大,寿命长。
作为优选,所述包围块呈U字形,包围块和转接头围成有定位槽,喷射管本体轴向方向的投影形状与定位槽对应。包围块的外形轮廓与喷射管本体的轮廓接近,上述结构使得喷射管本体可以定位与包围块中。
作为优选,喷射管本体的横截面为矩形,定位槽形状与喷射管本体横截面形状对应。上述结构中的转接头上的装配管与喷射管本体贴合面为平面,可以提高气密性和连接可靠性。
作为优选,转接头的两端设有装配通孔,包围块对应装配通孔位置设有对应的内螺纹孔,转接头和包围块连接有连接螺栓,连接螺栓与装配通孔以及内螺纹孔紧配合。二者通过连接螺栓紧配合。连接螺栓通过可固定扭力的扭矩扳手固定,防止使用普通扳手过程中用力过度导致硅产品破裂,用力过小导致连接不到位的问题。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





