[发明专利]堆叠芯片的气隙热量绝缘体

权利要求书

1.一种图像传感器，其包括：

逻辑裸片，其具有：

功能逻辑元件，其安置在所述逻辑裸片的接合侧上；及

浮凸逻辑氧化物特征的逻辑氧化物阵列，其安置在所述逻辑裸片的所述接合侧上；

像素裸片，其堆叠在所述逻辑裸片的顶部上，所述像素裸片具有：

像素阵列，其安置在所述像素裸片的光接收侧上；及

浮凸像素氧化物特征的像素氧化物阵列，其安置在所述像素裸片的接合侧上；

多个外接合件，其安置在所述逻辑裸片的外区与所述像素裸片的外区之间；以及

多个内接合件，其在所述图像传感器的内区处形成在所述像素氧化物阵列与所述逻辑氧化物阵列之间，所述内接合件被在所述逻辑裸片与所述像素裸片之间延伸的多个流体连接气隙间隔开。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述浮凸逻辑氧化物特征形成逻辑氧化物栅格，且所述浮凸像素氧化物特征形成像素氧化物栅格，所述像素氧化物栅格与所述逻辑氧化物栅格重叠达内接合件重叠量。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述浮凸逻辑氧化物特征从所述浮凸像素氧化物特征偏移以减小内接合件重叠量。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中每一浮凸像素氧化物特征及每一浮凸逻辑氧化物特征具有介于约2μm到约5μm之间的宽度W。

5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中邻近的浮凸像素氧化物特征间隔开达约10μm到约50μm的间距P，且从所述浮凸逻辑氧化物特征偏移。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述浮凸像素氧化物特征相对于所述浮凸逻辑氧化物特征偏移达约15度到约75度的偏移角α。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述浮凸像素氧化物特征相对于所述浮凸逻辑氧化物特征偏移达是所述间距P的约25％到所述间距P的约75％的偏移长度L。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每一流体连接气隙具有在所述逻辑裸片到所述像素裸片之间测量的约1μm到约3μm的深度G。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中深度G是从所述逻辑裸片到所述像素裸片进行测量的。

10.根据权利要求8所述的图像传感器，其中每一浮凸逻辑氧化物元件具有第一高度，且每一浮凸像素氧化物元件具有第二高度，所述第一高度与所述第二高度的和等于所述深度G。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个流体连接气隙经配置以限制热能从所述逻辑裸片到所述像素裸片的传导，且准许穿过所述多个流体连接气隙的对流。

12.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每一气隙与位于邻近的外接合件之间的至少一个空气通道流体连接，所述至少一个空气通道具有约150μm到约2000μm的宽度。

13.根据权利要求1所述的图像传感器，

其中每一流体连接气隙具有在所述逻辑裸片与所述像素裸片之间测量的约1μm到约3μm的深度G，每一流体连接气隙与位于邻近的外接合件之间的至少一个空气通道流体连接，所述至少一个空气通道具有约150μm到约2000μm的宽度，

其中每一浮凸逻辑氧化物特征及每一浮凸像素氧化物特征具有约2μm到约5μm的宽度W，邻近的浮凸像素氧化物特征间隔开达约10μm到约50μm的间距P，且邻近的浮凸逻辑氧化物特征间隔开达间距P，且

其中所述浮凸像素氧化物特征从所述浮凸逻辑氧化物特征偏移达约15度到约75度的偏移角α且达是所述间距P的约25％到所述间距P的约75％的偏移长度L。