[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备：

准备晶圆的工序，该晶圆在上表面包含第一区域和第二区域，所述第二区域设于所述第一区域的周围，并位于比所述第一区域低的位置；

在所述晶圆的上表面形成由氮化物半导体构成的半导体层的工序；

在俯视时，所述第一区域在第一方向上的端部具有延伸突出部，所述第一方向是通过所述晶圆的中心并且与所述半导体层的m轴平行的方向，所述延伸突出部向从所述晶圆的所述中心朝向所述晶圆的端缘侧的方向延伸突出，

所述延伸突出部具有平行于第三方向的第一侧面，所述第三方向是相对于与所述晶圆的所述第一方向上的端缘的切线平行的第二方向以5°以上55°以下的角度倾斜的方向。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在俯视时，所述延伸突出部还具有沿第四方向延伸的第二侧面，所述第四方向是与所述第三方向不同的方向，相对于所述第二方向以5°以上55°以下的角度倾斜。

3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述延伸突出部到达所述晶圆的上表面的端缘。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在俯视时，所述第一区域的第五方向上的端缘的切线与所述晶圆的所述第五方向上的端缘的切线平行，所述第五方向是通过所述晶圆的中心并且与所述半导体层的a轴平行的方向。

5.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备：

准备晶圆的工序，该晶圆在上表面包含第一区域和第二区域，所述第二区域设于所述第一区域的周围，并位于比所述第一区域低的位置；

在所述晶圆的上表面形成由氮化物半导体构成的半导体层的工序；

在俯视时，所述第二区域在第一方向上的端部具有延伸突出部，所述第一方向是通过所述晶圆的中心并且与所述半导体层的m轴平行的方向，所述延伸突出部向从所述晶圆的端缘侧朝向所述晶圆的所述中心的方向延伸突出，

所述延伸突出部具有平行于第三方向的第一侧面，所述第三方向是相对于与所述晶圆的所述第一方向上的端缘的切线平行的第二方向以5°以上55°以下的角度倾斜的方向。

6.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在俯视时，所述延伸突出部还具有沿第四方向延伸的第二侧面，所述第四方向是与所述第三方向不同的方向，相对于所述第二方向以5°以上55°以下的角度倾斜。

7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述第一侧面与所述第二侧面连续。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在俯视时，所述第一区域的第五方向上的端缘的切线与所述晶圆的所述第五方向上的端缘的切线平行，所述第五方向是通过所述晶圆的中心并且与所述半导体层的a轴平行的方向。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述晶圆由蓝宝石构成。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述第二区域位于比所述第一区域低2μm以上的位置。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述晶圆的第五方向上的端缘与所述第一区域的距离为所述晶圆的直径的1/10以下，所述第五方向是与所述半导体层的a轴平行的方向。