[发明专利]一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺

说明书

本发明涉及太阳能电池生产领域，一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺，按照清洗制绒、扩散制结、去PSG及背刻蚀、高温氧化、正面减反膜、背面钝化及减反膜、正面激光开槽、发射极重掺杂、去PSG、背面激光开槽、丝网印刷的工艺进行，其中，发射极重掺杂过程中，采用热扩散的方式，通入300sccm的N2、500‑1000sccm的N2‑POCl3、400‑900sccm的O2，安均匀的速率从780℃提升到820℃，时间为100‑200s，维持820℃，通入1‑3slm的N2，时间1‑2min。通过钝化发射极，减少金属化区域复合电流，提升电池转换效率0.3‑0.5%。

技术领域

本发明涉及太阳能电池生产领域，特别是涉及p型晶硅电池发射极制备领域。

背景技术

当前，单晶PERC电池转换效率的提升，主要基于非金属区域钝化膜层的优化、激光掺杂技术的应用等，当这些技术应用成熟后，PERC电池转换效率的提升出现瓶颈。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：如何克服PERC电池转换效率的提升出现瓶颈，进一步提升电池转换效率。

本发明所要解决的技术问题是：一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺，按照清洗制绒、扩散制结、去PSG及背刻蚀、高温氧化、正面减反膜、背面钝化及减反膜、正面激光开槽、发射极重掺杂、去PSG、背面激光开槽、丝网印刷的工艺进行，其中，发射极重掺杂过程中，采用热扩散的方式，通入300sccm的N2、500-1000sccm的N2-POCl3、400-900sccm的O2，安均匀的速率从780℃提升到820℃，时间为100-200s，维持820℃，通入1-3slm的N2，时间1-2min。

正面激光开槽时，开槽使用激光波长为532nm的绿光，激光光斑大小为120um，最大功率40W，打标能量为最大功率的90-100%，调制频率为200-240Khz，雕刻速度为27000mm/min。

去PSG步骤中，使用原液浓度为体积百分比为49%HF，与H2O配置成1%体积浓度的混合液，反应时间为0.5-2min。

本发明的有益效果是：本发明将氮化硅膜作为掩膜层，采用热扩散方式，在发射极制备磷重掺层，不仅降低金属区接触电阻，同时钝化了发射极。通过钝化发射极，减少金属化区域复合电流，提升电池转换效率0.3-0.5%。

附图说明

图1是本发明的完成后电池片结构示意图。

具体实施方式

本发明提出一种新型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺，如图1，通过在发射极制备磷重掺层，不仅降低金属区接触电阻，同时钝化发射极。具体的制备工艺如下：

1. 清洗制绒。制绒使用碱制绒，刻蚀量控制在0.4-0.6g，反射率7%-12%。

2. 扩散制结。

3. 去PSG及背刻蚀。清洗边缘与背面部分BSG，使用碱刻蚀，刻蚀量控制在0.14-0.17g，反射率35%-45%。

4. 高温氧化。

5. 正面减反膜。在管式PECVD中制备氮化硅，折射率为2.03-2.10，膜厚为75-80nm的氮化硅膜。

6. 背面钝化及减反膜。

7. 正面激光开槽。开槽使用激光波长为532nm的绿光，激光光斑大小为120um，最大功率40W，打标能量为最大功率的90-100%。调制频率为200-240Khz，雕刻速度为27000mm/min。