[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 202011011847.1 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN112103326A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 宋泳锡;刘威;孙宏达 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。该显示面板包括:基板,以及位于该基板上的像素界定层、发光器件和辅助电极层。由于当在辅助电极上形成发光器件中的发光层时,该发光层会在辅助电极所在区域内出现断线现象,且该辅助电极的侧壁上具有凹槽,因此在发光层上形成阴极层时,该阴极层可以延伸至辅助电极的侧壁上的凹槽内,且与该凹槽接触。如此,可以实现阴极层与辅助电极层之间进行有效的搭接,使得该显示面板的显示效果较好。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
目前的有机电致发光(英文:Organic Light-Emitting Diode简称:OLED)显示面板通常包括阳极层、有机发光层和阴极层,根据发光面不同可分为底发射型OLED显示面板和顶发射型OLED显示面板两种,由于顶发射型OLED显示面板可以获得更大的开口率,近年来成为研究的热点。
顶发射型OLED显示面板需要薄且透明的阴极层和能够进行光反射的阳极层,以增加光的透过率,而薄且透明的阴极层普遍存在电阻值较高,电压降(IRdrop)严重的问题。通常在阴极层中距离电源供给点越远的位置的电压降越明显,从而导致OLED显示面板有明显的发光不均匀的现象。
为了克服OLED显示面板中的阴极层中电压降严重的问题,需要在形成该OLED显示面板中的有机发光层和阴极层之前形成辅助电极,该辅助电极与后续形成的阴极层电连接,电源可以为辅助电极提供电信号,通过该辅助电极可以使阴极层中各个位置的电压相同。
在形成OLED显示面板中的阴极层之前,需要通过蒸镀工艺形成有机发光层。在通过蒸镀工艺形成有机发光层的过程中,该有机发光层容易附着在辅助电极上,影响辅助电极与后续形成的阴极层之间的电连接,进而导致该OLED显示面板的显示效果较差。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置。可以解决现有技术的OLED显示面板的显示效果较差的问题,所述技术方案如下:
一方面,提供了一种显示面板,包括:
基板;
位于所述基板上的像素界定层,所述像素界定层用于在所述基板上限定出多个像素区域以及位于所述像素区域外围的非像素区域;
位于所述像素区域内的发光器件,所述发光器件包括:层叠设置的阳极层、发光层和阴极层;
以及,位于所述非像素区域内的辅助电极层,所述辅助电极层的侧壁具有凹槽,所述阴极层延伸至所述凹槽内,且与所述凹槽接触。
可选的,所述辅助电极层包括:沿垂直且远离所述基板的方向层叠设置的金属电极和第一保护电极;
其中,沿平行于所述基板的方向,所述第一保护电极凸出于所述金属电极,以形成所述凹槽,所述阴极层与所述金属电极的侧壁接触。
可选的,所述辅助电极层还包括:设置在所述金属电极靠近所述基板的一侧的第二保护电极;
其中,沿平行于所述基板的方向,所述第二保护电极凸出于所述金属电极,以形成所述凹槽,所述阴极层与所述第二保护电极接触。
可选的,所述第一保护电极在所述基板上的正投影位于所述第二保护电极在所述基板上的正投影内,且在平行于所述基板的方向上,所述第一保护电极的边缘与所述第二保护电极的边缘错开。
可选的,所述第一保护电极在所述基板上的正投影位于所述第二保护电极在所述基板上的正投影的中央区域内,所述金属电极在所述基板上的正投影位于所述第二保护电极在所述基板上的正投影的中央区域内。
可选的,所述第一保护电极与所述第二保护电极的材料均包括:氧化铟锡或氧化铟锌。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的