[发明专利]一种晶界扩散类钕铁硼的成分分析制样方法在审
申请号: | 202011010723.1 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN112098172A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 喻玺;庞再升;钟春燕;戚植奇 | 申请(专利权)人: | 赣州富尔特电子股份有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28;G01N1/34;G01N1/44 |
代理公司: | 杭州兴知捷专利代理事务所(特殊普通合伙) 33338 | 代理人: | 董建军 |
地址: | 341001 江西省赣*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩散 类钕铁硼 成分 分析 方法 | ||
本发明涉及晶界扩散类钕铁硼成分分析技术领域,且公开了一种晶界扩散类钕铁硼的成分分析制样方法,包括以下步骤:S1、钕铁硼前处理,S2、制作晶界扩散类钕铁硼,S3、晶界扩散类钕铁硼的选取,S4、清洗烘干,S5样品粉碎,S6样品分析制样。该晶界扩散类钕铁硼的成分分析制样方法,通过S1、钕铁硼前处理,S2、制作晶界扩散类钕铁硼,S3、晶界扩散类钕铁硼的选取,S4、清洗烘干,S5样品粉碎,S6样品分析制样六个步骤对晶界扩散类钕铁硼进行成分分析制样,其步骤过程较为简单,易操作,同时S5步骤中将片状样品转化成粉末状,易于S6步骤中的消解处理,使样品消解过程中更加充分,时间更短,大大缩减了成分分析制样的时间。
技术领域
本发明涉及晶界扩散类钕铁硼成分分析技术领域,具体为一种晶界扩散类钕铁硼的成分分析制样方法。
背景技术
钕铁硼也称为钕铁硼磁铁,是由钕、铁、硼形成的四方晶系晶体。这种磁铁的磁能积大于钐钴磁铁,是当时全世界磁能积最大的物质。这种磁铁是现今磁性仅次于绝对零度钬磁铁的永久磁铁,也是最常使用的稀土磁铁。钕铁硼磁铁被广泛地应用于电子产品,例如硬盘、手机、耳机以及用电池供电的工具等,在汽车、消费电子、风电等领域得到广泛应用。为了节约资源、提高性能,一种利用晶界扩散工艺处理的钕铁硼正在兴起。但这类钕铁硼显著的特点就是稀土成分非均匀分布,在对晶界扩散类钕铁硼成分析制样的流程中较为复杂,需要消耗大量时间。
如国家专利网公开号为CN111413169A公开的一种晶界扩散类钕铁硼的成分分析制样方法,涉及化学成分分析的样品前处理制样技术领域,该方法整体考虑了晶界扩散类钕铁硼在晶界扩散方向存在整体元素含量的成分分布不均匀问题,通过确定纵向和横向的取样位置,并沿晶界扩散方向整体取样,该切取样品再经处理消解后整体测量溶液中的元素含量,从而保证了测试元素、特别是稀土元素的准确性。这样就能避免常规制样方法和检测方法只对单点检测,而无法反应整体元素含量的弊端,从而为优化钕铁硼的晶界扩散工艺,检测各类稀土元素含量,控制生产成本,都提供了有效的制样方法。
这种方法在整个过程中所选取的晶界扩散类钕铁硼的样品为条状和柱状,由于体积较大在最终的消解过程较为漫长,而且极容易出现消解不充分的现象,影响最终的成分分析制样。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种晶界扩散类钕铁硼的成分分析制样方法,解决了样品体积较大在最终的消解过程较为漫长,而且极容易出现消解不充分的现象,影响最终的成分分析制样和过程复杂的问题。
为解决上述问题,本发明提供如下技术方案:一种晶界扩散类钕铁硼的成分分析制样方法,包括以下步骤:
S1、钕铁硼前处理
选取一块厚度小于7mm的钕铁硼薄片,并通过相对应处理液对选取的钕铁硼薄片进行表面处理去除表面污渍,再经蒸馏水冲洗,之后通过烘干设备对其表面进行烘干,得到基础钕铁硼薄片;
S2、制作晶界扩散类钕铁硼
将经过前处理得到的基础钕铁硼薄片通过晶界扩散的制备方法得到晶界扩散类钕铁硼薄片;
S3、晶界扩散类钕铁硼的选取
通过在制作好的扩散类钕铁硼薄片上的任意一处裁切下一片大小合适的晶界扩散类钕铁硼薄片样本;
S4、清洗烘干
将选取的晶界扩散类钕铁硼薄片样本放置到无水乙醇的烧杯中进行摇晃清洗,清洗完成后将晶界扩散类钕铁硼薄片样本取出,并通过烘干设备进行烘干;
S5样品粉碎
将烘干之后的晶界扩散类钕铁硼薄片样本放置到粉碎设备中将其进行粉碎,粉碎成粉末状之后,用样品烧杯进行收集得到晶界扩散类钕铁硼粉末;
S6样品分析制样
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