[发明专利]量子点发光器件及其应用在审

专利信息
申请号: 202011010637.0 申请日: 2020-09-23
公开(公告)号: CN112117387A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 苗湘 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 金俊姬
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 量子 发光 器件 及其 应用
【说明书】:

发明公开了一种量子点发光器件及其应用,铜基量子点是一种常见的黄铜矿半导体材料,具有可调带隙、低毒性、制备简单、成本低等优点,可以作为空穴传输材料用于量子点发光二极管器件中,通过调节铜基量子点的粒径大小可以调节能级,从而更好地与量子点发光层匹配。量子点表面的长链配体大多具有绝缘性质,严重影响了量子点之间的电荷传输,也使得形成的量子点薄膜的电荷传输性较差,如果量子点作为空穴传输材料应用到量子点发光器件中会严重影响器件性能。因此本发明通过采用表面具有短链配体的铜基量子点作为空穴传输材料,可以提高量子点的导电性,提高载流子传输效率,提高量子点发光器件性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种量子点发光器件及其应用。

背景技术

量子点(Quantum Dot,简称QD)作为新型的发光材料,具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点,已成为目前新型发光二级管中发光材料的研究热点。因此,以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes,简称QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。

发明内容

本发明实施例提供的一种量子点发光器件,包括:相对设置的阳极和阴极,位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,位于所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层,所述空穴传输层的材料为表面具有短链配体的铜基量子点。

可选地,在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中,所述铜基量子点的化学式为CuXY,其中,X=Ga或In,Y=S、Se或Te。

可选地,在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中,所述短链配体的链长小于十个碳原子。

可选地,在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中,所述短链配体为包括巯基、氨基或羧基的配体。

可选地,在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中,所述短链配体包括3-巯基丙酸、辛酸、辛胺或己硫醇。

相应地,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述量子点发光器件。

相应地,本发明实施例还提供了一种空穴传输材料的制作方法,包括:

采用溶液法制备表面具有长链配体的铜基量子点;

向所述表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料,以使所述短链配体取代所述长链配体;

对取代后的溶液进行清洗,得到表面具有短链配体的铜基量子点,作为所述空穴传输材料。

可选地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,所述铜基量子点的化学式为CuXY,其中,X=Ga或In,Y=S、Se或Te。

可选地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,所述向所述表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料,以使所述短链配体取代所述长链配体,具体为:

向所述表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料,形成混合溶液;

向所述混合溶液中加入氢氧化钠溶液,调节所述混合溶液的PH值;

对所述混合溶液进行搅拌第一预设时长,以使所述短链配体取代所述长链配体。

可选地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,所述混合溶液的PH值为8-9。

可选地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在对所述混合溶液进行搅拌第一预设时长,以使所述短链配体取代所述长链配体之后,还包括:

将所述混合溶液静置第二预设时长。

可选地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,所述第一预设时长为1小时-3小时,所述第二预设时长大于2小时。

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