[发明专利]电荷泵电路和包括电荷泵电路的图像传感器在审
| 申请号: | 202011010087.2 | 申请日: | 2020-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN112543293A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
| 发明(设计)人: | 徐珉雄 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H04N5/361 | 分类号: | H04N5/361;H04N5/369;H04N5/378;H01L27/146;H02M3/07 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 史泉;王兆赓 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电荷 电路 包括 图像传感器 | ||
1.一种电荷泵电路,包括:
第一泵单元,包括第一电容器和第一晶体管,第一泵单元被配置为通过使用时钟信号来生成第一节点电压;以及
第二泵单元,包括第二电容器、第二晶体管和第三晶体管,第二泵单元被配置为通过使用第一节点电压来生成负输出电压,
其中,时钟信号和第一节点电压各自在低电平电压与高电平电压之间进行切换,
负输出电压的绝对值的幅度大于时钟信号的高电平电压的绝对值的幅度,并且
第三晶体管的主体与第二晶体管的主体电隔离。
2.根据权利要求1所述的电荷泵电路,还包括:隔离层,被配置为使第三晶体管的主体与第二晶体管的主体电绝缘。
3.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其中,第二晶体管包括N型晶体管,并且第三晶体管包括P型晶体管。
4.根据权利要求3所述的电荷泵电路,其中,N型晶体管形成在形成有第二晶体管的阱中。
5.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其中,负输出电压的绝对值的幅度等于或大于时钟信号的高电平电压的绝对值的幅度的两倍。
6.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其中,
第一泵单元输出具有恒定幅度的第一输出电压,
第二泵单元输出具有恒定幅度的第二输出电压,并且
第二输出电压的绝对值的幅度大于第一输出电压的绝对值的幅度。
7.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其中,
第一泵单元还包括第四晶体管,并且
电荷泵电路还包括使第四晶体管的主体与第一晶体管的主体电绝缘的隔离层。
8.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其中,
第一泵单元还包括第四晶体管,并且
形成第四晶体管的主体的阱形成在形成第一晶体管的主体的阱中。
9.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其中,所述电荷泵电路还包括:反相器,被配置为接收时钟信号并且向第一泵单元提供时钟反相信号。
10.一种电荷泵电路,被配置为通过接收时钟信号来生成负输出电压,所述电荷泵电路包括:
基底,在所述基底中形成第一阱和第二阱;
第一泵单元,包括第一电容器和形成在第一阱中的第一晶体管;
第二泵单元,包括第二电容器和形成在第二阱中的第二晶体管;以及
隔离层,被配置为使第一阱与第二阱电绝缘,
其中,时钟信号以规则周期在低电平电压与高电平电压之间进行切换,并且
负输出电压的绝对值的幅度大于高电平电压的绝对值的幅度。
11.根据权利要求10所述的电荷泵电路,其中,
基底包括形成有第一晶体管的第一表面和面对第一表面的第二表面,并且
隔离层从第一表面延伸到第二表面。
12.根据权利要求11所述的电荷泵电路,其中,隔离层的接触第一表面的截面的第一宽度小于隔离层的接触第二表面的截面的第二宽度。
13.根据权利要求11所述的电荷泵电路,其中,
隔离层的接触第一表面的截面的第一宽度大于隔离层的在第一表面与第二表面之间的中心截面的第三宽度,并且
隔离层的接触第二表面的截面的第二宽度大于第三宽度。
14.根据权利要求10所述的电荷泵电路,其中,基底掺杂有P型杂质。
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