[发明专利]一种太阳能电池以及制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：层叠的第一子电池、第一隧穿结层、第二子电池、第二隧穿结层、第三子电池以及位于所述第一隧穿结层和所述第二子电池之间的变质缓冲层，所述变质缓冲层包括层叠设置的多个膜层以及位于所述多个膜层中任意相邻两个膜层之间的超晶格层，其中，所述多个膜层包括至少两层缓冲层和一个过冲层；

其中，所述超晶格层包括至少两个层叠单元，每个层叠单元包括层叠的第一超晶格层和第二超晶格层，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层的晶格常数不同；

所述多个膜层包括第L_n膜层和第L_n+1膜层；位于所述第L_n膜层和第L_n+1膜层之间的超晶格层的层叠单元中，所述第一超晶格层的晶格常数为不大于a_Ln+x的数值，所述第二超晶格层的晶格常数为不大于a_Ln+1+x的数值；

其中，a表示晶格常数，a_Ln表示第L_n膜层的晶格常数，a_Ln+1表示第L_n+1膜层的晶格常数，0≤x≤0.5nm。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一超晶格层的晶格常数与所述第L_n膜层的晶格常数相同，所述第二超晶格层的晶格常数和第L_n+1膜层的晶格常数相同。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，位于所述第L_n膜层和第L_n+1膜层之间的超晶格层中，所述第二超晶格层与所述第L_n膜层相邻。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一超晶格层的厚度取值范围为1nm~300nm，包括端点值；所述第二超晶格层的厚度取值范围为1nm~300nm，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一超晶格层为GaInAs层，所述第二超晶格层为GaInAs层；

或，所述第一超晶格层为GaInP层，所述第二超晶格层为GaInP层。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一超晶格层为AlGaInAs层，所述第二超晶格层为AlGaInAs层；

或，所述第一超晶格层为AlGaInP层，所述第二超晶格层为AlGaInP层。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多个膜层包括至少两层缓冲层和一层过冲层，所述过冲层位于所述至少两层缓冲层背离所述第一子电池一侧。

8.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

制作第一子电池；

在所述第一子电池第一侧表面形成第一隧穿结层；

在所述第一隧穿结层背离所述第一子电池一侧形成变质缓冲层；

在所述变质缓冲层背离所述第一子电池一侧依次形成第二子电池、第二隧穿结层和第三子电池；

其中，所述变质缓冲层包括层叠设置的多个膜层以及位于所述多个膜层中任意相邻两个膜层之间的超晶格层，所述多个膜层包括至少两层缓冲层和一个过冲层，所述超晶格层包括至少两个层叠单元，每个层叠单元包括层叠的第一超晶格层和第二超晶格层，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层的晶格常数不同；

所述多个膜层包括第L_n膜层和第L_n+1膜层；位于所述第L_n膜层和第L_n+1膜层之间的超晶格层的层叠单元中，所述第一超晶格层的晶格常数为不大于a_Ln+x的数值，所述第二超晶格层的晶格常数为不大于a_Ln+1+x的数值；

其中，a表示晶格常数，a_Ln表示第L_n膜层的晶格常数，a_Ln+1表示第L_n+1膜层的晶格常数，0≤x≤0.5nm。