[发明专利]开关控制电路、半导体装置

权利要求书

1.一种开关控制电路，

该开关控制电路对电源侧的第一开关元件和与所述第一开关元件一起对负载进行驱动的接地侧的第二开关元件的开关进行控制，该开关控制电路的特征在于，包含：

信号输出电路，该信号输出电路基于输入信号来输出用于导通所述第一开关元件的置位信号和用于关断所述第一开关元件的复位信号；

电平移位电路，该电平移位电路对所述置位信号和所述复位信号各自的电平进行移位；

第一驱动电路，该第一驱动电路基于来自所述电平移位电路的输出来驱动所述第一开关元件；以及

电源电路，该电源电路包括用于生成所述信号输出电路的电源电压的以达林顿方式连接的多个晶体管。

2.如权利要求1所述的开关控制电路，其特征在于，

所述开关控制电路是形成在半导体基板上的集成电路，所述半导体基板至少具有p型第一区域、形成在所述第一区域内的n型第二区域、形成在所述第二区域内的p型第三区域以及形成在所述第三区域内的n型第四区域，

作为所述信号输出电路的基准的第一端子电连接到所述第一区域，

连接到所述第一开关元件和所述第二开关元件并且作为所述第一驱动电路的基准的第二端子电连接到所述第四区域。

3.如权利要求2所述的开关控制电路，其特征在于，

所述第一驱动电路的源极电极电连接到所述第四区域，并且所述第一驱动电路包含形成在所述第三区域内的NMOS晶体管。

4.如权利要求1至3中任一项所述的开关控制电路，其特征在于，

所述电源电路在所述多个晶体管中生成所述电源电压的节点与接地之间具有电阻。

5.如权利要求1至4中任一项所述的开关控制电路，其特征在于，

所述电源电路包括用于保护所述多个晶体管免受过电压影响的耐压电路。

6.如权利要求5所述的开关控制电路，其特征在于，

所述耐压电路包含串联连接的n个(n是变量)二极管。

7.如权利要求1至6中任一项所述的开关控制电路，其特征在于，

所述电源电路包括偏置电路，该偏置电路将用于补偿所述电源电压的温度变化的偏置电压施加到所述多个晶体管中的第一级晶体管的基极电极。

8.如权利要求7所述的开关控制电路，其特征在于，

所述偏置电路包括：

第一电压生成电路，该第一电压生成电路包含齐纳二极管和与所述齐纳二极管串联连接的m个(m是变量)二极管，并生成规定电平的电压；以及

第二电压生成电路，该第二电压生成电路基于所述规定电平的电压向所述第一级晶体管的基极电极施加所述偏置电压。

9.如权利要求8所述的开关控制电路，其特征在于，

所述第二电压生成电路包括：

分压电阻电路，该分压电阻电路生成与所述规定电平的电压与i(i是变量)个二极管的正向电压之差相对应的电压作为所述偏置电压。

10.如权利要求6所述的开关控制电路，其特征在于，

所述耐压电路包含串联连接到所述n个二极管的第一晶体管。

11.如权利要求10所述的开关控制电路，其特征在于，

所述电源电路包括偏置电路，该偏置电路将用于对所述电源电压的温度变化进行补偿的偏置电压施加到所述多个晶体管中的第一级晶体管的基极电极。

12.如权利要求11所述的开关控制电路，其特征在于，

所述偏置电路包括：

第一电压生成电路，该第一电压生成电路包含齐纳二极管和与所述齐纳二极管串联连接的m个(m是变量)二极管，并生成规定电平的电压；以及

第二电压生成电路，该第二电压生成电路基于所述规定电平的电压向所述第一级晶体管的基极电极施加所述偏置电压。