[发明专利]一种无刷直流电机升压集成驱动系统及控制方法有效
| 申请号: | 202011006956.4 | 申请日: | 2020-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN112152521B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 蔡骏;马二昆;庞浩;张菀 | 申请(专利权)人: | 南京信息工程大学 |
| 主分类号: | H02P6/08 | 分类号: | H02P6/08;H02M3/158;B60L15/00;B60L15/20 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 田凌涛 |
| 地址: | 210044 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 直流电机 升压 集成 驱动 系统 控制 方法 | ||
1.一种无刷直流电机升压集成驱动系统的控制方法,其特征在于,无刷直流电机升压集成驱动系统包括电源U1、第一电解电容C1、第二电解电容C2、电感L、第一MOS开关管K1、第一二极管D1、第二MOS开关管K2、第二二极管D2、第三MOS开关管K3、第三二极管D3、第四MOS开关管K4、第四二极管D4、第五MOS开关管K5、第五二极管D5、第六MOS开关管K6、第六二极管D6、第七MOS开关管K7、第七二极管D7、以及三相电机中的A相绕组、B相绕组、C相绕组;
其中,第一MOS开关管K1的源极与第一二极管D1的阳极相对接,第一MOS开关管K1的漏极与第一二极管D1的阴极相对接,第二MOS开关管K2的源极与第二二极管D2的阳极相对接,第二MOS开关管K2的漏极与第二二极管D2的阴极相对接,第三MOS开关管K3的源极与第三二极管D3的阳极相对接,第三MOS开关管K3的漏极与第三二极管D3的阴极相对接,第四MOS开关管K4的源极与第四二极管D4的阳极相对接,第四MOS开关管K4的漏极与第四二极管D4的阴极相对接,第五MOS开关管K5的源极与第五二极管D5的阳极相对接,第五MOS开关管K5的漏极与第五二极管D5的阴极相对接,第六MOS开关管K6的源极与第六二极管D6的阳极相对接,第六MOS开关管K6的漏极与第六二极管D6的阴极相对接,第七MOS开关管K7的源极与第七二极管D7的阳极相对接,第七MOS开关管K7的漏极与第七二极管D7的阴极相对接;
电源U1的正极分别对接第一电解电容C1的正极、电感L的其中一端,电感L的另一端分别对接第三MOS开关管K3的漏极、第二MOS开关管K2的源极,第二MOS开关管K2的漏极对接第一MOS开关管K1的源极;第四MOS开关管K4的源极对接第五MOS开关管K5的漏极,第六MOS开关管K6的源极对接第七MOS开关管K7的漏极;第一MOS开关管K1的漏极、第二电解电容C2的正极、第四MOS开关管K4的漏极、第六MOS开关管K6的漏极四者相连接;电源U1的负极分别对接第一电解电容C1的负极、第三MOS开关管K3的源极、第二电解电容C2的负极、第五MOS开关管K5的源极、第七MOS开关管K7的源极;三相电机中的A相绕组对接第一MOS开关管K1的源极,三相电机中的B相绕组对接第四MOS开关管K4的源极,三相电机中的C相绕组对接第六MOS开关管K6的源极;
所述控制方法包括如下步骤:
步骤A.采集第二电解电容C2两端的实际电压值U2,获得其与第二电解电容C2两端参考电压值U2_ref的差值,并针对该差值进行PI调节,获得电感电流参考值IL_ref,然后进入步骤B;
步骤B.采集经过电感L的实际电感电流IL,获得其与电感电流参考值IL_ref的差值,并针对该差值依次经过PI调节与限幅操作,获得限幅结果信号,然后进入步骤C;
步骤C.将限幅结果信号与预设高频三角载波进行比较,选取小于预设高频三角载波的信号,作为第三MOS开关管K3的控制信号然后进入步骤D;
步骤D.执行方波控制方法或者正弦波SVPWM调节方式,获得第一MOS开关管K1的控制信号第四MOS开关管K4的控制信号第五MOS开关管K5的控制信号第六MOS开关管K6的控制信号第七MOS开关管K7的控制信号然后进入步骤E;
步骤E.针对第一MOS开关管K1的控制信号与第三MOS开关管K3的控制信号应用逻辑与非运算,获得第二MOS开关管K2的控制信号然后进入步骤F;
步骤F.应用第一MOS开关管K1的控制信号第二MOS开关管K2的控制信号第三MOS开关管K3的控制信号第四MOS开关管K4的控制信号第五MOS开关管K5的控制信号第六MOS开关管K6的控制信号第七MOS开关管K7的控制信号分别针对第一MOS开关管K1、第二MOS开关管K2、第三MOS开关管K3、第四MOS开关管K4、第五MOS开关管K5、第六MOS开关管K6、第七MOS开关管K7进行控制。
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