[发明专利]一种多路源缓冲器电路

说明书

本发明公开了一种多路源缓冲器电路，包括单个缓冲器电路和多个缓冲器电路；单个缓冲器电路包括MN4和MP4，MN4和MP4由3.3V以下的低压器件来实现；多个缓冲器电路包括由多个缓冲器电路共用的偏置电路，偏置电路分为两个部分组成：一部分由放大器A1，A2和A3，MOS管MNb，偏置电流IBN组成；另外一部分由放大器A4，A5和A6，MOS管MPb，偏置电流IBP组成。本发明通过采用低压器件，在相同面积的情况下，匹配性能可提高3到4倍，其次，通过采用新的偏置电路，可严格控制缓冲器输入级提供偏置电流器件的漏端和栅端的工作电压，保证每一个缓冲器的工作电压都相同，显著提高通道之间的一致性。

技术领域

本发明涉及源缓冲器电路技术领域，具体为一种多路源缓冲器电路。

背景技术

在显示驱动芯片中，其中一个很重要的功能模块就是源驱动模块，如图1所示，源驱动模块的驱动部分(也叫源缓冲器电路)，是用模拟电路来实现的，用于驱动屏幕上的源级线路。根据显示分辨率的不同，源驱动的通道数会不同，但数量一般都是几百到几千的量级。

如图2所示，是现有源缓冲器电路的轨到轨输入级电路示意图，其中MN1和MN2是NMOS输入差分对，MN3是NMOS偏置电路，MP1和MP2是PMOS输入差分对，MP3是PMOS偏置电路，所有器件均是5V或5V以上的器件，为了节省芯片面积，其中产生VN1和VP1的偏置电压的电路由多路缓冲器共用。

按照缓冲器输出驱动电压范围的要求，源缓冲器电路基本上都是用工作电压在5V以上的器件来实现，这种实现方式目前存在着一些问题：第一个是5V或5V以上的器件之间匹配性能差，会导致通道之间的一致性差，其中一个解决的办法是增大器件的面积，但由于通道数量多这样会显著增加芯片的面积，进而增加芯片的成本。第二个是缓冲器通道数量几百到几千条，在芯片上两端通道之间的距离很远，芯片生产时造成的梯度会严重影响通道之间的一致性，进而严重影响显示屏的显示效果。

如何在不明显增加芯片面积的情况下，提高缓冲器电路之间的一致性，进而提升显示屏的显示效果成为本领域技术人员需要迫切解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多路源缓冲器电路，在不明显增加芯片面积的情况下，提供一种显著提高缓冲器电路之间的一致性的电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种多路源缓冲器电路，包括NMOS输入差分对MN1和MN2，NMOS偏置电路MN3，PMOS输入差分对MP1和MP2，PMOS偏置电路MP3；所述MN1、MN2和MN3，MP1、MP2和MP3均由5V或5V以上的器件来实现，还包括单个缓冲器电路和多个缓冲器电路；

其中，单个缓冲器电路还包括MN4和MP4，MN4和MP4由3.3V以下的低压器件来实现，所述MN4的一端接地VSS，另一端与偏置电压VN1连接，与MN4连接的MN3上还连接有偏置电压VN2；所述MP4的一端接电源VDD，另一端与偏置电压VP1连接，与MP4连接的MP3上还连接有偏置电压VP2；

多个缓冲器电路还包括由多个缓冲器电路共用的偏置电路，偏置电路分为两个部分组成：一部分由放大器A1，A2和A3，MOS管MNb，偏置电流IBN组成；另外一部分由放大器A4，A5和A6，MOS管MPb，偏置电流IBP组成；

其中，A1、A3和MNb用于实现VN2的电压等于VREFN的电压,VN2根据VREFN的电压调节；A2作为一个电压缓冲器，用于驱动缓冲器1到N的MN14、MNn4器件的栅级，同时VN1的电压和MNb的栅级电压保持一致，MN14、MNn4的偏置电流通过偏置电流IBN调节大小；