[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011006720.0 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112687643A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 沈香谷;林濬理;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李晔;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一重分配层，包括一第一导电部件及一第二导电部件；
一第一接触部件，设置在该第一导电部件之上，并电性耦合至该第一导电部件；
一第二接触部件，设置在该第二导电部件之上，并电性耦合至该第二导电部件；以及
一保护部件，从该第一导电部件与该第二导电部件之间延伸至该第一接触部件与该第二接触部件之间，该保护部件包括：
一介电部件，包括一平坦顶表面，该平坦顶表面从邻近该第一接触部件的该保护部件的一第一端延伸至邻近该第二接触部件的该保护部件的一第二端，以及
一介电层，设置在该介电部件的该平坦顶表面上，
其中该介电部件的一组成不同于该介电层的一组成。
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