[发明专利]一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202011004709.0 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112103177B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 冯先进;徐伟东 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/24;H01L29/786 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非晶铟铝锡 氧化物 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
（1）清洗衬底；
（2）使用射频磁控溅射法以铟铝锡氧化物陶瓷靶作为靶材，在所述衬底上沉积非晶铟铝锡氧化物薄膜；铟铝锡氧化物陶瓷靶中In原子所占原子比为50%，Al原子所占原子比为25%，Sn原子所占原子比为25%；在沉积非铟铝锡氧化物薄膜的过程中，衬底的温度为室温，通入高纯氩气的流量为10-30 SCCM，工作气压为3-5 mTorr，射频功率为30-250 W；
（3）在空气中对步骤（2）制备的非晶铟铝锡氧化物薄膜进行热退火处理，即得最终产物非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜，该非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜可见光区平均透过率90%、带隙宽度4.33 eV、霍尔迁移率54.0 cm2/Vs、电阻率3.42×10-1 Ω·cm、载流子浓度3.38×1017 cm-3。
2.根据权利要求1所述的一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，空气中使用加热板，在50～600℃的温度条件下对步骤（2）制备的非晶铟铝锡氧化物薄膜热退火处理10-300分钟。
3.根据权利要求2所述的一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，在250℃的温度条件下，对步骤（2）制备的非晶铟铝锡氧化物薄膜热退火处理75分钟。
4.根据权利要求1所述的一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤（2）使用射频磁控溅射法沉积非晶铟铝锡氧化物薄膜的过程中，通入高纯氩气的流量为20 SCCM，工作气压为3.7 mTorr，射频功率为50 W。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为抛光处理后的SiO2/P+-Si和蓝宝石单晶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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