[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202011003906.0 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112216747B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 陈明飞;刘永成;江长久;陈明高;徐胜利;王志杰;郭梓旋;莫国仁;李跃辉 | 申请（专利权）人： | 长沙壹纳光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于：包括依次层叠的TCO-I膜层、TCO-II膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO-III膜层、TCO-IV膜层；
其中，所述TCO-II膜层的功函数高于TCO-I膜层的功函数且TCO-IV膜层的功函数高于TCO-III膜层的功函数；所述TCO-I膜层和TCO-III膜层厚度分别为5～20nm；所述TCO-II膜层和TCO-IV膜层的厚度为70～130nm。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述TCO-I膜层和TCO-III膜层的制备材料选自ITO；其中，所述ITO中锡氧化物的质量百分含量为10％。
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述TCO-II膜层和TCO-IV膜层的制备材料的功函数不低于4.7eV。
4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述TCO-II膜层和TCO-IV膜层的制备材料分别独立地选自IZO、IZrO、ITO(99:1～97:3)材料中的至少一种；其中，所述ITO(99:1～97:3)材料为氧化锡的质量百分含量为1％～3％。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述TCO-II膜层和TCO-IV膜层的厚度为80～95nm。
6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述异质结太阳能电池还包括分别设置于TCO-I膜层和TCO-IV膜层表面的金属电极。
7.一种如权利要求1至6任一项所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、取经制绒后的N型衬底经PECVD在一侧由里向外依次形成第一本征非晶硅层和N型非晶硅层，另一侧由里向外依次形成第二本征非晶硅层和P型非晶硅层；
S2、在N型非晶硅层表面依次形成TCO-II膜层和TCO-I膜层，在P型非晶硅层表面依次形成TCO-III膜层和TCO-IV膜层。
8.一种发电系统，其特征在于：所述发电系统包括如权利要求1至6任一项所述的异质结太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙壹纳光电材料有限公司，未经长沙壹纳光电材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011003906.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电动阀门的控制保护方法及装置
- 下一篇：一种用于干燥枳壳的烘干设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
