[发明专利]为低电压至高电压应用提供双向功率流和功率调节的系统在审
| 申请号： | 202011002942.5 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112636606A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 彼得罗·凯罗里;乌特卡什·拉赫亚;蒂亚戈-巴蒂斯塔·索伊若;卢卡斯·霍夫施泰特尔;马提亚斯·巴托尔 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M5/293 | 分类号： | H02M5/293 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 至高 应用 提供 双向 功率 调节 系统 | ||
1.一种用于为低电压至高电压应用提供双向功率流和功率调节的系统，所述系统包括：
·具有两个栅极的常断四象限(4Q)功率电子开关；以及
·两个常通结型场效应晶体管(JFET)；
其中，常断4Q开关和两个常通JFET以双级联配置彼此耦合，例如，常断4Q开关与两个常断JFET中的每个串联耦合。
2.根据权利要求1所述的系统，其中，通过常断4Q开关彼此耦合的两个常通JFET中的每个分别以级联连接方式与至少另一个常通JFET连接。
3.根据权利要求1或2所述的系统，其中，常通JFET由碳化硅(SiC)制成。
4.根据权利要求1或2所述的系统，其中，常通JFET由金刚石(C)制成。
5.根据权利要求1或2所述的系统，其中，常通JFET由硅(Si)制成。
6.根据权利要求1至5所述的系统，其中，常断4Q开关是单片双向功率电子开关。
7.根据权利要求1至6所述的系统，其中，常断4Q开关包括宽带隙半导体材料。
8.根据权利要求7所述的系统，其中，宽带隙半导体材料是氮化铝镓/氮化镓(AIGaN/GaN)。
9.根据权利要求7所述的系统，其中，宽带隙半导体材料是碳化硅(SiC)。
10.根据权利要求7所述的系统，其中，宽带隙半导体材料是金刚石(C)。
11.根据权利要求1至10所述的系统，其中，两个常通JFET中的每个通过跨过偏置电路(20)两端的常断4Q开关彼此耦合，例如偏置电路(20)被配置为确保跨过系统两端的电压在安全范围内。
12.根据权利要求11所述的系统，其中，每个偏置电路(20)包括与电容器(24)和电阻器(26)并联安装的齐纳二极管(22)。
13.根据权利要求11所述的系统，其中，每个偏置电路(20)包括与电容器(24)串联安装的齐纳二极管(22)，电容器(24)本身与电阻器(26)并联安装。
14.根据权利要求11至13所述的系统，其中，每个偏置电路(20)包括N型金属氧化物半导体逻辑(NMOS)(28)。
15.根据权利要求14所述的系统，其中，每个偏置电路包括与NMOS(28)并联安装的齐纳二极管(22)和与所述NMOS(28)串联安装的电阻器(26)。
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