[发明专利]一种用于碲镉汞pn结电学性能引出的方法、探测器芯片

权利要求书

1.一种用于碲镉汞pn结电学性能引出的方法，其特征在于，包括：

在碲镉汞晶片表面依次形成碲化镉层和硫化锌层；所述碲镉汞晶片的内部已制备好pn结；所述碲化镉层的厚度范围为100nm至300nm；所述硫化锌层的厚度范围为300nm至500nm；

在所述硫化锌层表面形成对应于除待形成的接触孔区域以外的其它区域的光刻胶；

以所述光刻胶为掩膜，通过湿法腐蚀工艺去除掉所述硫化锌层中对应于待形成的接触孔区域的硫化锌；所述硫化锌层的厚度相比于所述光刻胶很薄；

对所述光刻胶进行去除；

以经湿法腐蚀工艺处理后的硫化锌层为刻蚀掩膜，通过干法刻蚀工艺刻蚀掉对应于待形成的接触孔区域的碲化镉层，并刻蚀部分碲镉汞材料，形成接触孔图形；刻蚀掉的部分碲镉汞材料的厚度范围为100nm至300nm；在进行干法刻蚀工艺时，采用刻蚀碲镉汞和碲化镉的速率快于刻蚀硫化锌速率的工艺配方进行刻蚀；

通过电极沉积工艺和离子束刻蚀工艺在接触孔区域内形成金属电极。

2.根据权利要求1所述的用于碲镉汞pn结电学性能引出的方法，其特征在于，在所述硫化锌层表面形成对应于除待形成的接触孔区域以外的其它区域的光刻胶，具体包括：

在所述硫化锌层表面形成光刻胶层；

采用具有与接触孔所在位置相对应的透光区域的掩膜版对所述光刻胶层进行曝光显影，在所述硫化锌层表面形成对应于除待形成的接触孔区域以外的其它区域的光刻胶。

3.根据权利要求2所述的用于碲镉汞pn结电学性能引出的方法，其特征在于，以所述光刻胶为掩膜，通过湿法腐蚀工艺去除掉所述硫化锌层中对应于待形成的接触孔区域的硫化锌，具体包括：

将形成有所述碲化镉层、所述硫化锌层和所述光刻胶的碲镉汞晶片置入稀盐酸腐蚀液；

在超声环境下，以所述光刻胶为掩膜，通过所述稀盐酸腐蚀液去除掉所述硫化锌层中对应于待形成的接触孔区域的硫化锌。

4.根据权利要求3所述的用于碲镉汞pn结电学性能引出的方法，其特征在于，对所述光刻胶进行去除，具体包括：

通过丙酮溶液去掉所述光刻胶。

5.根据权利要求4所述的用于碲镉汞pn结电学性能引出的方法，其特征在于，以经湿法腐蚀工艺处理后的硫化锌层为刻蚀掩膜，通过干法刻蚀工艺刻蚀掉对应于待形成的接触孔区域的碲化镉层，并刻蚀部分碲镉汞材料，形成接触孔图形，具体包括：

通过ICP干法刻蚀设备，以经湿法腐蚀工艺处理后的硫化锌层为刻蚀掩膜，利用CH₄、H₂和Ar的组合气体或H₂和Ar的组合气体，刻蚀掉对应于待形成的接触孔区域的碲化镉层，并刻蚀部分碲镉汞材料，形成接触孔图形。

6.一种探测器芯片，其特征在于，所述探测器芯片采用如权利要求1至5任一项所述的方法制作而成。