[发明专利]一种减小晶圆翘曲的方法及晶圆键合方法有效
申请号: | 202011001472.0 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN112216609B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 伍术;肖亮;王溢欢;尹朋岸;严孟;王欢;华子群 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/60;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 高园园 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减小 晶圆翘曲 方法 晶圆键合 | ||
1.一种减小晶圆翘曲的方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供在不同方向上存在翘曲度差异的晶圆;
确定所述晶圆在不同方向上的翘曲度;
根据不同方向上的所述翘曲度,沿呈现不同弯曲方向和弯曲程度的不同方向或者在晶圆的弯曲程度不同的区域采用不同的退火策略对所述晶圆进行退火,对于呈现盘状的晶圆,在翘曲程度较大的晶圆外围区域以第一温度进行尖峰退火,在翘曲程度较小的接近晶圆中心的区域采用第二温度进行尖峰退火,并且第一温度与第二温度不同;对于呈马鞍形状的晶圆,晶圆在X、Y方向上的弯曲方向不同,弯曲程度也不同,在Y方向上以850℃左右的温度进行退火,在X方向上,以低于Y方向上的退火温度20℃的第三温度对晶圆进行逐行扫描式尖峰退火。
2.根据权利要求1所述的减小晶圆翘曲的方法,其特征在于,沿呈现不同弯曲方向和弯曲程度的不同方向或者在晶圆的弯曲程度不同的区域采用不同的退火策略对所述晶圆进行退火,还包括以下步骤:
根据不同方向上的翘曲度,在不同方向上设定不同的退火温度进行退火。
3.根据权利要求1所述的减小晶圆翘曲的方法,其特征在于,沿呈现不同弯曲方向和弯曲程度的不同方向或者在晶圆的弯曲程度不同的区域采用不同的退火策略对所述晶圆进行退火,还包括以下步骤:
根据不同方向上的翘曲度,选定需要进行退火的区域。
4.根据权利要求3所述的减小晶圆翘曲的方法,其特征在于,在选定的需要进行退火的区域进行退火,其余区域不进行退火。
5.根据权利要求1所述的减小晶圆翘曲的方法,其特征在于,所述不同方向包括沿所述晶圆的径向相互垂直的方向。
6.根据权利要求4或5所述的减小晶圆翘曲的方法,其特征在于,对晶圆进行尖峰退火。
7.根据权利要求1所述的减小晶圆翘曲的方法,其特征在于,所述晶圆包括衬底、形成在所述衬底上的多层膜层。
8.一种晶圆键合方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供待键合的晶圆;
确定所述晶圆在不同方向上的翘曲度;
根据不同方向上的所述翘曲度,沿呈现不同弯曲方向和弯曲程度的不同方向或者在晶圆的弯曲程度不同的区域采用不同的退火策略对所述晶圆进行退火,对于呈现盘状的晶圆,在翘曲程度较大的晶圆外围区域以第一温度进行尖峰退火,在翘曲程度较小的接近晶圆中心的区域采用第二温度进行尖峰退火,并且第一温度与第二温度不同;对于呈马鞍形状的晶圆,晶圆在X、Y方向上的弯曲方向不同,弯曲程度也不同,在Y方向上以850℃左右的温度进行退火,在X方向上,以低于Y方向上的退火温度20℃的第三温度对晶圆进行逐行扫描式尖峰退火。
9.根据权利要求8所述的晶圆键合方法,其特征在于,沿呈现不同弯曲方向和弯曲程度的不同方向或者在晶圆的弯曲程度不同的区域采用不同的退火策略对所述晶圆进行退火,还包括以下步骤:
根据不同方向上的翘曲度,在不同方向上设定不同的退火温度进行退火。
10.根据权利要求8所述的晶圆键合方法,其特征在于,沿呈现不同弯曲方向和弯曲程度的不同方向或者在晶圆的弯曲程度不同的区域采用不同的退火策略对所述晶圆进行退火,还包括以下步骤:
根据不同方向上的翘曲度,选定需要进行退火的区域。
11.根据权利要求10所述的晶圆键合方法,其特征在于,在选定的需要进行退火的区域进行退火,其余区域不进行退火。
12.根据权利要求8所述的晶圆键合方法,其特征在于,所述不同方向包括沿所述晶圆的径向相互垂直的方向。
13.根据权利要求11或12所述的晶圆键合方法,其特征在于,对晶圆进行尖峰退火。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造