[发明专利]低羟基高纯石英玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种低羟基高纯石英玻璃的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供二氧化硅粉体，所述二氧化硅粉体含有羟基；

将所述二氧化硅粉体进行脱羟，所述脱羟步骤包括：

将所述二氧化硅粉体于第一温度下进行干燥；

将所述二氧化硅粉体升温至第二温度，通入第一氧化气体，所述第一氧化气体包括卤素气体，获得第一脱羟粉体；

将所述第一脱羟粉体升温至第三温度，通入第二氧化气体，所述第二氧化气体包括氧气或臭氧，获得第二脱羟粉体；

升高所述第二脱羟粉体至第四温度，获得玻璃化体；以及

冷却所述玻璃化体并获得所述低羟基高纯石英玻璃。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，玻璃化所述第二脱羟粉体之前还包括步骤：

将所述玻璃化体升温至第五温度，所述第五温度为1600℃～2300℃，保持1小时以上，以将所述玻璃化体进行高温均化。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述玻璃化体进行退火包括步骤：

将所述玻璃化体根据一降温速率由所述第四温度降至室温，所述降温速率≥20min/℃。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅粉体的制备方法包括：

提供一含硅原料；以及

采用气相沉积法将所述含硅原料水解形成所述二氧化硅粉体。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述含硅原料包括SiCl₄、SiF₄、C₆H₁₈O₃Si₃、C₈H₂₄O₄Si₄、C₁₀H₃₀O₅Si₅以及C₁₂H₃₆O₆Si₆中的至少一种。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述气相沉积法包括化学气相沉积法、等离子化学气相沉积法、气相轴向沉积法和管外气相沉积法中的任意一种。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化气体包括氟气、氯气、气态溴中的至少一种。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化气体及所述第二氧化气体中的至少一个还包括惰性气体，所述惰性气体包括氮气、氦气及氩气中的至少一种。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为200℃～400℃，所述第二温度为700℃～1000℃，所述第三温度为1050℃～1250℃，所述第四温度为1300℃～1500℃。

10.一种由权利要求1至9任意一项所述的制备方法制备的低羟基高纯石英玻璃，其特征在于，所述石英玻璃的羟基含量＜1ppm。