[发明专利]磁性存储器结构、读写方法及电子设备在审
| 申请号： | 202011001144.0 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112201747A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李四华 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 结构 读写 方法 电子设备 | ||
1.一种磁性存储器结构，其特征在于，所述磁性存储器结构包括：
自旋轨道转矩层，所述自旋轨道转矩层的两端分别连接写选择线及地线；
第一自由磁层，位于所述自旋轨道转矩层上；
隧穿层，位于所述第一自由磁层上；
第二自由磁层，位于所述隧穿层上，所述第二自由磁层连接读选择线。
2.根据权利要求1所述的磁性存储器结构，其特征在于：所述第二自由磁层的面积小于所述第一自由磁层的面积。
3.根据权利要求2所述的磁性存储器结构，其特征在于：所述第二自由磁层的面积为所述第一自由磁层的面积的八分之一至二分之一。
4.根据权利要求1所述的磁性存储器结构，其特征在于：所述自旋轨道转矩层包括重金属层，所述重金属层包括铂及钽中的一种。
5.根据权利要求1所述的磁性存储器结构，其特征在于：所述第一自由磁层包括CoFe、CoFeB、FeB及钴镍合金中的一种，所述第二自由磁层包括CoFe、CoFeB、FeB及钴镍合金中的一种。
6.根据权利要求1所述的磁性存储器结构，其特征在于：所述隧穿层包括氧化物、氮化物及氮氧化物中的一种。
7.根据权利要求1所述的磁性存储器结构，其特征在于：所述第二自由磁层的状态包括无磁矩翻转或全部磁矩翻转，所述第一自由磁层的状态包括无磁矩翻转、部分磁矩翻转或全部磁矩翻转。
8.根据权利要求7所述的磁性存储器结构，其特征在于：所述磁性存储器结构包括以下状态：
所述第二自由磁层无磁矩翻转，且所述第一自由磁层无磁矩翻转；或
所述第二自由磁层全部磁矩翻转，且所述第一自由磁层无磁矩翻转；或
所述第二自由磁层全部磁矩翻转，且所述第一自由磁层部分磁矩翻转；或
所述第二自由磁层全部磁矩翻转，且所述第一自由磁层全部磁矩翻转。
9.一种如权利要求1～8任意一项所述的磁性存储器结构的写入方法，其特征在于：通过控制所述写选择线的电压，控制流经所述自旋轨道转矩层的电流以设置所述磁性存储器结构的磁矩状态。
10.根据权利要求9所述的磁性存储器结构，其特征在于：通过控制所述写选择线的电压，将所述磁性存储器结构的磁矩状态设置为：
所述第二自由磁层无磁矩翻转，且所述第一自由磁层无磁矩翻转；或
所述第二自由磁层全部磁矩翻转，且所述第一自由磁层无磁矩翻转；或
所述第二自由磁层全部磁矩翻转，且所述第一自由磁层部分磁矩翻转；或
所述第二自由磁层全部磁矩翻转，且所述第一自由磁层全部磁矩翻转。
11.一种如权利要求1～8任意一项所述的磁性存储器结构的读取方法，其特征在于：通过控制所述读选择线的电压，读取流经所述磁性存储器结构的电流以读取所述磁性存储器结构的磁矩状态。
12.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1～8任意一项所述的磁性存储器结构。
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