[发明专利]忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011001124.3 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN114256289A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 吴华强;钱鹤;李辛毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 赵国荣;刘晓冰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
1.一种忆阻器，包括：至少一个忆阻单元，所述至少一个忆阻单元中的每个包括：
晶体管，包括源极和漏极；以及
至少一个忆阻元件，所述至少一个忆阻元件中的每个包括：
第一电极，与所述源极或所述漏极电连接；
第二电极；
阻变层，在所述第一电极和所述第二电极之间；以及
钝化层，至少覆盖所述阻变层的侧壁。
2.根据权利要求1所述的忆阻器，其中，所述钝化层的介电常数k≤10。
3.根据权利要求1所述的忆阻器，其中，所述钝化层的材料包括SiNx、SiCN、AlN、BN和TaN中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的忆阻器，其中，所述钝化层的厚度为10nm-100nm。
5.根据权利要求1-4任一所述的忆阻器，其中，所述至少一个忆阻元件中的每个还包括盖帽层，
所述盖帽层在所述阻变层和所述第二电极之间，所述盖帽层的材料包括金属或金属氧化物。
6.根据权利要求5所述的忆阻器，其中，所述金属包括Ti、Hf和Ta中的至少一种，所述金属氧化物包括TaOx、AlOx和SiOx中的至少一种。
7.根据权利要求1-4任一所述的忆阻器，还包括绝缘层(即SiO2层)，
其中，所述绝缘层覆盖所述至少一个忆阻单元，所述绝缘层的厚度为100nm-1000nm。
8.根据权利要求7所述的忆阻器，还包括走线层，
其中，所述走线层设置在所述绝缘层的远离所述至少一个忆阻单元的一侧，所述绝缘层具有暴露所述第二电极的第一通孔，所述走线层通过所述第一通孔与所述第二电极电连接。
9.根据权利要求8所述的忆阻器，还包括保护钝化层，
其中，所述保护钝化层设置在所述走线层的远离所述绝缘层的一侧，所述保护钝化层具有暴露所述走线层的第二通孔，用于形成接口。
10.一种忆阻器的制备方法，包括：形成至少一个忆阻单元，其中，所述至少一个忆阻单元中的每个包括：
晶体管，包括源极和漏极；以及
至少一个忆阻元件，其中，形成所述至少一个忆阻元件中的每个包括：
形成第一电极，所述第一电极与所述源极或漏极电连接；
形成第二电极；
在所述第一电极和所述第二电极之间形成阻变层；以及
形成钝化层，所述钝化层至少覆盖所述阻变层的侧壁。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
