[发明专利]一种柔性薄膜太阳电池背电极及其制备方法有效
| 申请号: | 202011001110.1 | 申请日: | 2020-09-22 |
| 公开(公告)号: | CN112216750B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
| 发明(设计)人: | 申绪男;张超 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 蒙建军 |
| 地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 柔性 薄膜 太阳电池 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性薄膜太阳电池背电极制备方法,其特征在于,所述柔性薄膜太阳电池背电极包含能够有效阻挡不锈钢衬底中有害元素扩散的氮化铝、氮化钛薄膜;通过晶格常数材料的渐变过渡,实现各层薄膜中应力的有效释放,使得基于卷对卷工艺制备的该复合结构背电极不存在裂纹,制备得到的太阳电池串联电阻小,提升薄膜太阳电池的光电转换效率;所述制备方法至少包括如下步骤:
S1、选取厚度为50微米,幅宽为30厘米,长度为200米的不锈钢衬底,并进行清洁;所述不锈钢衬底的型号为SUS304或SUS430;
S2、采用卷对卷连续镀膜工艺,在不锈钢衬底上采用射频磁控溅射的方法镀100nm~150nm的氮化铝薄膜;
S3、采用直流磁控溅射的方法镀100nm~150nm的氮化钛薄膜;
S4、采用直流磁控溅射的方法镀100nm的金属钛薄膜;
S5、采用直流磁控溅射的方法镀50nm的钼薄膜。
2.一种柔性薄膜太阳电池背电极,其特征在于,由权利要求1所述柔性薄膜太阳电池背电极制备方法制备而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





