[发明专利]过压防护装置在审
申请号: | 202011001065.X | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN112018725A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 李亚坤;李胜 | 申请(专利权)人: | 上海创功通讯技术有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 杨东明;张冉 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 防护 装置 | ||
本发明公开了一种过压防护装置,包括滞回比较单元、自举升压单元、稳压二极管、开关单元;滞回比较单元的输入端与电源端电连接,滞回比较单元的输出端与自举升压单元的输入端电连接,自举升压单元的输出端与稳压二极管的阴极电连接,开关单元的第一端与电源端电连接,开关单元的第二端作为过压防护装置的输出端,稳压二极管的阴极与开关单元的控制端电连接以控制开关单元的导通或断开,开关单元导通时,第一端与第二端连通,开关单元断开时,第一端与第二端断开;稳压二极管的阳极接地。本发明的过压防护装置响应速度快,发生过压时,该过压防护装置输出端电压保持平稳,系统依旧正常工作。
技术领域
本发明属于过压防护技术领域,尤其涉及一种过压防护装置。
背景技术
在很多项目的硬件设计中,由于电源入口处经常受到浪涌过压等的考验,所以很多设计都会采用集成芯片用于防止供电过压的发生。但集成芯片结构复杂、成本高;还有一些以PMOS(P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)为主的分立元器件搭建的过压防护电路,但缺点是响应速度慢,一些特殊情况依旧容易损坏电路。
专利申请CN201210553603.5公开了一种功放过驻波保护电路,其搭建的是一个外围电路进行器件输入端电平检测,若电平较高,则关闭芯片使能,芯片不工作,但是高电压依旧作用于芯片输入口;另外,设计只适用于系统正常工作后对单一芯片或模块进行防护,模块供电电流不通过其搭建的电路。同时有保护延迟,过压保护后,模块停止工作。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中过压防护的电路成本高、响应速度慢的缺陷,提供一种过压防护装置。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题:
本发明提供一种过压防护装置,包括滞回比较单元、自举升压单元、稳压二极管、开关单元;
滞回比较单元的输入端与电源端电连接,滞回比较单元的输出端与自举升压单元的输入端电连接,
自举升压单元的输出端与稳压二极管的阴极电连接,
开关单元的第一端与电源端电连接,开关单元的第二端作为过压防护装置的输出端,稳压二极管的阴极与开关单元的控制端电连接以控制开关单元的导通或断开,开关单元导通时,第一端与第二端连通,开关单元断开时,第一端与第二端断开;
稳压二极管的阳极接地。
可选地,自举升压单元包括第一二极管、第二二极管、第一电容;
第一电容的一端作为自举升压单元的输入端,第一电容的另一端分别与第一二极管的阴极、第二二极管的阳极电连接;
第一二极管的阳极与电源端电连接;
第二二极管的阴极与自举升压单元的输出端电连接。
可选地,自举升压单元还包括第一电阻;
第一电阻的一端与第二二极管的阴极电连接,第一电阻的另一端作为自举升压单元的输出端。
可选地,滞回比较单元包括比较器、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第二电容;
第三电阻的一端分别与滞回比较单元的输入端、第二电阻的一端电连接,第三电阻的另一端分别与比较器的正向输入端、第四电阻的一端电连接,第四电阻的另一端接地;
第二电容的一端与比较器的负向输入端电连接,第二电容的另一端接地;
比较器的输出端分别与滞回比较单元的输出端、第二电阻的一端电连接。
可选地,滞回比较单元还包括第五电阻、第六电阻;
第五电阻的一端与比较器的正向输入端电连接,第五电阻的另一端与比较器的输出端电连接;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海创功通讯技术有限公司,未经上海创功通讯技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011001065.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。