[发明专利]一种谐振型SAW温度-湿度传感器及其制备方法

权利要求书

1. 一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器，其特征在于，包括单晶硅衬底（1）、氧化硅（2）、氮化铝（3）、金属Al （4）、聚酰亚胺介质层(5)和密封腔（6）；所述单晶硅衬底（1）外表面下设有若干密封腔（6），所述单晶硅衬底（1）外表面上均匀生长有氧化硅（2）；所述氧化硅（2）两端分别生长有氮化铝（3）；两端所述氮化铝（3）上溅射有金属Al（4），并且一端所述金属Al（4）上涂覆有聚酰亚胺介质层(5)。

2. 根据权利要求1所述的一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器，其特征在于，所述金属Al （4）包括微带天线（7）、叉指电极IDTs（8）和反射栅（9）。

3. 根据权利要求1所述的一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器，其特征在于，所述聚酰亚胺介质层(5)覆盖在一端的叉指电极IDTs （8）上方。

4.根据权利要求1所述的一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器，其特征在于，所述单晶硅衬底（1）为N型单晶硅。

5.一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器的制备方法，其特征在于，权利要求1-4所述的基于谐振型SAW的温度-湿度传感器的具体制备步骤如下：

S1.通过各向异性反应离子刻蚀工艺在单晶硅衬底（1）两端表面刻一定深度的蚀浅槽；

S2.对单晶硅衬底（1）进行各向同性竖向腐蚀，形成一定深度的腔体；

S3.通过外延工艺生长单晶硅衬底（1），在单晶硅衬底（1）内部形成密封腔（6）；

S4.通过化学机械抛光工艺使单晶硅衬底（1）表面平滑；

S5.使用低压力化学气相沉积法在单晶硅衬底（1）表面均匀沉积氧化硅（2）；

S6.在氧化硅（2）两边分别生长氮化铝（3），根据设计版图，光刻、腐蚀形成SAW器件压电层结构；

S7.根据设计数据，制作光掩膜，选用适当的光刻胶涂覆到基片表面上，把器件图形复印到光刻胶上，按复印图形进行刻蚀加工溅射金属Al （4），光刻、腐蚀形成SAW的反射栅（9）、叉指电极IDTs（8）和微带天线（7）；

S8.在其中一端的叉指电极IDTs （8）上方涂敷聚酰亚胺（5）。

6.根据权利要求5所述的一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器的制备方法，其特征在于，所述密封腔（6）腔体高为5μm。

7. 根据权利要求5所述的一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器的制备方法，其特征在于，所述氮化铝（3）和敷聚酰亚胺（5）厚度均为2 μm。