[发明专利]一种控制大理石饰面板安装变形的定位件及安装方法在审

专利信息
申请号: 202011000624.5 申请日: 2020-09-22
公开(公告)号: CN112031317A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 胡本国;何祥;陈兵;赖勇金;邱元鹏;杨海斌 申请(专利权)人: 中国核工业华兴建设有限公司
主分类号: E04F13/24 分类号: E04F13/24;E04F13/14;E04F13/21
代理公司: 南京钟山专利代理有限公司 32252 代理人: 王磊
地址: 210019 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 控制 大理石 面板 安装 变形 定位 方法
【权利要求书】:

1.一种控制大理石饰面板安装变形的定位件,作用于灰色系或黑色系的天然大理石或天然花岗石类的饰面板(1),所述天然大理石饰面板的弯曲强度标准值7MPa,吸水率0.5,长度≥800mm,宽度≥600mm2;所述天然花岗石饰面板的弯曲强度标准值8MPa,吸水率0.5,长度≥800mm,宽度≥600mm,其特征在于:所述饰面板(1)背面开设有若干条凹槽(2),所述凹槽(2)内涂抹有胶粘剂,所述凹槽(2)内安装有T型多孔定位件(3),T型多孔定位件(3)包括呈直角分布的竖直板(3-1)和水平板(3-2),所述竖直板(3-1)上开设有若干个第一通孔(4),所述水平板(3-2)上开设有若干个第二通孔(5),所述T型多孔定位件(3)的竖直板(3-1)插入凹槽(2)中通过胶粘剂固定连接,所述胶粘剂在T型多孔定位件(3)的挤压下依次从第一通孔(4)到第二通孔(5)溢出,压平,固化后形成胶钉帽(6)。

2.根据权利要求1所述的一种控制大理石饰面板安装变形的定位件,其特征在于:当天然大理石或天然花岗石类的饰面板(1)的宽度不大于600mm时,所述凹槽(2)为两条,所述凹槽(2)的走向为沿着天然大理石或天然花岗石类的饰面板(1)的长边方向,两条凹槽(2)对称分布在天然大理石或天然花岗石类的饰面板(1)背面上下两端;当天然大理石或天然花岗石类的饰面板(1)的宽度大于600mm,长度不大于900mm,接近于正方形时,所述凹槽(2)为四条,四条凹槽(2)组成井字型;当天然大理石或天然花岗石类的饰面板(1)的宽度大于600mm且小于900mm,长度大于1000mm时,所述凹槽(2)为三条,三条凹槽(2)的走向为沿着天然大理石或天然花岗石类的饰面板(1)的长边方向,等距分布在天然大理石或天然花岗石类的饰面板(1)背面上中下部位。

3.根据权利要求2所述的一种控制大理石饰面板安装变形的定位件,其特征在于:每条所述凹槽(2)距离最近的天然大理石或天然花岗石类的饰面板(1)边距离为50mm~100mm,所述井字型凹槽之间的间隔为300mm~500mm,所述凹槽(2)的槽宽为5mm~8mm,槽深为5mm~10mm。

4.根据权利要求1所述的一种控制大理石饰面板安装变形的定位件,其特征在于:所述胶粘剂为环氧树脂干挂结构胶。

5.根据权利要求1所述的一种控制大理石饰面板安装变形的定位件,其特征在于:所述竖直板(3-1)下端两侧对称设置有锯齿层(7),所述竖直板(3-1)末端为三角尖端。

6.根据权利要求1所述的一种控制大理石饰面板安装变形的定位件,其特征在于:所述T型多孔定位件(3)的材质为铝合金、不锈钢或高强塑料。

7.根据权利要求1所述的一种控制大理石饰面板安装变形的定位件,其特征在于:所述第一通孔(4)和第二通孔(5)交错分布,位于竖直板和水平板的不同平面上。

8.根据权利要求7所述的一种控制大理石饰面板安装变形的定位件,其特征在于:所述第一通孔(4)和第二通孔(5)的直径均为3mm~5mm,其中第一通孔之间的间隔为10mm~20mm,第二通孔之间的间隔为10mm~20mm。

9.一种控制大理石饰面板安装变形的定位件的安装方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1:根据天然大理石或天然花岗石类的饰面板的宽度尺寸和面积大小,确定天然大理石或天然花岗石类的饰面板背面凹槽的位置和大小,并在凹槽内添加环氧树脂干挂结构胶;

步骤S2:将T型多孔定位件的竖直板按压进凹槽内,凹槽内的环氧树脂干挂结构胶在T型多孔定位件的挤压下,依次经过第一通孔、第二通孔,最后从第二通孔溢出;

步骤S3:将溢出的环氧树脂干挂结构胶压平,固化后形成胶钉帽;

步骤S4:通过胶钉帽和天然大理石或天然花岗石类的饰面板背面与墙柱面、地面粘贴施工用的粘贴剂配合,使天然大理石或天然花岗石类的饰面板与基层紧密粘结。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国核工业华兴建设有限公司,未经中国核工业华兴建设有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011000624.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top