[发明专利]Ni基单晶高温合金二维选晶器的设计方法及制备方法在审
| 申请号： | 202010999548.7 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112111781A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 孟祥斌;李金国;周吉学;林涛;景财年;高嵩;郭宁;唐炳涛;张炳荣 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/52 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张晓鹏 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ni 基单晶 高温 合金 二维 选晶器 设计 方法 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种Ni基单晶高温合金二维选晶器的设计方法，其特征在于：包括如下步骤：
通过优化二维选晶器的几何尺寸，调整定向凝固过程中晶粒生长路径，实现对单晶高温合金取向的控制。
2.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于：所述二维选晶器的几何尺寸包括二维选晶器的起始角和外径。
3.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于：二维选晶器的起始角为30-60°，外径为10-20mm。
4.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于：所述设计方法中，采用高速凝固法工艺，制备镍基单晶高温合金试棒。
5.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于：所述设计方法中，还结合了籽晶法进行Ni基单晶高温合金取向的控制。
6.根据权利要求5所述的设计方法，其特征在于：籽晶法为在二维选晶器底部预制所需取向的晶粒，预制的晶粒的取向为011或111。
7.一种Ni基单晶高温合金二维选晶器的制备方法，其特征在于：所需的二维选晶器的起始角为30-60°，外径为10-20mm。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：还包括结合籽晶法进行Ni基单晶高温合金取向的控制，制备011取向的晶粒。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：籽晶法为在二维选晶器底部预制所需取向的晶粒。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：预制的晶粒的取向为011或111。
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