[发明专利]测试样品及其制备方法

说明书

本发明实施例提供了一种测试样品及其制备方法，通过提供待检测试样；其中，所述待检测试样包括：第一介质层和覆盖所述第一介质层的第二介质层；所述第一介质层覆盖第一沟道的侧壁；将所述待检测试样中至少第一区域对应的部分所述第二介质层的材料替换为第一材料；其中，所述第一区域包括所述待检测试样中被疑似存在缺陷的区域；所述第一介质层和替换材料后的所述第二介质层在显微镜下的成像图像的衬度差大于预设衬度；对进行材料替换后的待检测试样进行切片处理，得到测试样品；其中，所述测试样品用于通过所述显微镜进行缺陷检测。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种测试样品及其制备方法。

背景技术

在对失效试样，如三维NAND型存储器的失效分析的过程中，先定位出失效试样中具体的某个失效器件，如某个失效存储单元对应的位置；然后对该对应位置处做平面或者截面的切片，得到测试样品；再观察该测试样品，以获取该失效器件的具体物理结构的异常，从而寻找根因，为相应的工艺改进提供依据。

然而，相关技术中制备的测试样品存在无法正常观察到失效试样中失效器件的具体物理结构的异常的问题。

发明内容

为解决相关技术问题，本发明实施例提出了一种测试样品及其制备方法。

本发明实施例提供了一种测试样品的制备方法，包括：

提供待检测试样；其中，所述待检测试样包括：第一介质层和覆盖所述第一介质层的第二介质层；所述第一介质层覆盖第一沟道的侧壁；

将所述待检测试样中至少第一区域对应的部分所述第二介质层的材料替换为第一材料；其中，所述第一区域包括所述待检测试样中被疑似存在缺陷的区域；所述第一介质层和替换材料后的所述第二介质层在显微镜下的成像图像的衬度差大于预设衬度；

对进行材料替换后的待检测试样进行切片处理，得到测试样品；其中，所述测试样品用于通过所述显微镜进行缺陷检测。

上述方案中，所述待检测试样包括三维存储器，所述第一沟道、第一介质层及第二介质层用于形成所述三维存储器中的存储单元串，所述第一区域包括所述存储单元串中异常存储单元所在的区域。

上述方案中，所述第一介质层的材料包括氧化硅，所述第二介质层的材料包括多晶硅，所述第一材料包括重金属。

上述方案中，所述第一材料包括钨或者铂金。

上述方案中，所述至少将所述待检测试样中所述第一区域对应的部分第二介质层的材料替换为第一材料，包括：

将所述待检测试样进行减薄处理，以使所述待检测试样的表面与所述第一区域之间的距离小于预设距离；

去除所述第一区域对应的部分第二介质层；

在所述第二介质层被去除的部分中填充所述第一材料。

上述方案中，所述第一介质层的材料包括氧化硅，所述第二介质层的材料包括多晶硅；

所述去除所述第一区域对应的部分第二介质层，包括：

利用胆碱去除第一区域对应的部分第二介质层。

上述方案中，所述在所述第二介质层被去除的部分中填充所述第一材料，包括：

利用聚焦离子束(FIB，Focused Ion Beam)在所述第二介质层被去除的部分中填充所述第一材料。

上述方案中，所述对进行材料替换后的待检测试样进行切片处理，包括：

利用FIB对进行材料替换后的待检测试样进行切片处理。

本发明实施例还提供了一种测试样品，包括：