[发明专利]双堆栈三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种双堆栈三维存储器的制造方法，所述三维存储器包括核心区和阶梯区，所述阶梯区设置于所述核心区的周边，所述方法包括：

沿堆叠方向向下对衬底上位于所述核心区内的第一部分进行刻蚀，使得所述衬底上位于所述阶梯区内的第二部分与所述第一部分之间形成高度差；

在所述衬底的所述第一部分上形成下部堆栈并在所述衬底的所述第二部分上形成阶梯堆叠层；

在所述下部堆栈和所述阶梯堆叠层上形成绝缘连接层，所述绝缘连接层的位于所述核心区的第一部分与所述绝缘连接层的位于所述阶梯区内的第二部分之间具有所述高度差；以及

沿所述堆叠方向从上方去除所述绝缘连接层的所述第二部分的至少一部分，使得所述高度差被消除。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高度差被消除时，所述绝缘连接层的所述第二部分被完全去除。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述下部堆栈包括在所述衬底的所述第一部分上形成垂直延伸穿过堆叠体的沟道孔，所述堆叠体由多个绝缘层和电介质层交替层叠而成，

所述方法还包括对所述沟道孔进行扩展，

所述绝缘连接层是在对所述沟道孔进行扩展时形成的。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述绝缘连接层的所述第一部分上形成上部堆栈。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述绝缘连接层的所述第二部分的至少一部分使用与刻蚀所述衬底的所述第一部分时相同的掩模板以及相反性质的光阻。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘连接层包含氧化硅。

7.一种双堆栈三维存储器，包括形成在衬底上的核心区和阶梯区，

所述核心区上形成有下部堆栈，

所述阶梯区设置于所述核心区的周边，形成有阶梯结构，

所述下部堆栈和所述阶梯结构上形成有绝缘连接层，

所述绝缘连接层上形成有上部堆栈，

其中，所述衬底上位于所述核心区内的第一部分低于所述衬底上位于所述阶梯区内的第二部分以形成台阶，并且

所述绝缘连接层的位于所述核心区的第一部分与所述绝缘连接层的位于所述阶梯区内的第二部分处于同一高度。

8.一种双堆栈三维存储器，包括形成在衬底上的核心区和阶梯区，

所述核心区上形成有下部堆栈，

所述阶梯区设置于所述核心区的周边，形成有阶梯结构，

所述下部堆栈上形成有绝缘连接层，并且所述阶梯结构上没有所述绝缘连接层，

所述绝缘连接层上形成有上部堆栈，

其中，所述衬底上位于所述核心区内的第一部分低于所述衬底上位于所述阶梯区内的第二部分以形成台阶，并且

所述绝缘连接层的顶部与所述阶梯结构的顶部处于同一高度。