[发明专利]一种低介电常数和低介电损耗的液晶聚合物膜材制备方法

说明书

本发明公开了一种低介电常数和低介电损耗的液晶聚合物膜材制备方法，包括以下步骤：S1，液晶聚合物溶于溶剂，得液晶聚合物溶液；S2，氟树脂粉体加入液晶聚合物溶液中，分散处理混合物料；S3，将S2所得混合物料涂敷于离型基材表面，经干燥熔融处理涂敷层成膜；S4，分离膜层与离型基材，制得液晶聚合物膜材。该低介电常数和低介电损耗的液晶聚合物膜材制备方法依次包括溶解液晶聚合物、分散氟树脂粉体、混合物料涂敷干燥以及成膜脱离离型基材四步骤，采用液态混合的方式，便于向液晶聚合物膜材中添加更多的氟树脂；液晶聚合物膜材中的氟树脂粉体分散更均匀；本发明还公开了一种液晶聚合物膜材以及基于液晶聚合物膜材的手机天线。

技术领域

本发明涉及液晶聚合物膜材制造技术领域，具体涉及一种低介电常数和低介电损耗的液晶聚合物膜材制备方法、液晶聚合物膜材以及手机天线。

背景技术

液晶聚合物（LCP）材料具有高强度、高模量、突出的耐热性、极小的线膨胀系数、优良的耐燃性、电绝缘性、耐化学腐蚀性、耐气候老化和能透微波，以及优异的成型加工性能等，是理想的高频（毫米波）材料。随着5G产业的发展，行业内对材料在高频率条件下的传输损耗要求更低，而现有LCP膜材介电损耗相对偏大，已无法满足更高频率下的使用要求，故需要开发更低介电损耗的LCP膜材。

CN111497173A中公开了一种液晶聚合物薄膜的制备方法，首先将聚四氟乙烯和液晶聚合物混料挤出制得粒料，然后将混合粒料与纯液晶聚合物同时挤出得到三层共挤熔体，经过定型和横向拉伸处理，得到三层复合的液晶聚合物薄膜，该液晶聚合物薄膜的芯层材质为100%液晶聚合物，表层材质为聚四氟乙烯和液晶聚合物共混材料。

上述工艺过程中聚四氟乙烯和液晶聚合物混料首先制成粒料，然后挤出得到共混表层，生产工艺存在以下缺陷：第一、粒料共混基础的生产工艺聚四氟乙烯含量偏低，以液晶聚合物与聚四氟乙烯的质量之和为100%计，聚四氟乙烯粒料的质量百分比为5～25%；第二、共挤得到的液晶聚合物薄膜中聚四氟乙烯的分散均匀度欠佳；第三、拉伸处理可能会对液晶聚合物膜材介电常数的一致性产生不利影响；第四、受限于挤出设备，液晶聚合物膜材的最大幅宽为定值。

发明内容

本发明的目的之一在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种低介电常数和低介电损耗的液晶聚合物膜材制备方法。

本发明的技术方案为：一种低介电常数和低介电损耗的液晶聚合物膜材制备方法，包括以下步骤：

S1，液晶聚合物溶于溶剂，得液晶聚合物溶液；

S2，氟树脂粉体加入液晶聚合物溶液中，分散处理混合物料；

S3，将S2所得混合物料涂敷于离型基材表面，经干燥熔融处理涂敷层成膜；

S4，分离膜层与离型基材，制得液晶聚合物膜材。

混合物料涂敷于离型基材表面的方式可为刮刀涂布、狭缝涂布等已知的液体连续涂布方式；分离膜层与离型基材的方式包括剥离，或者采用合适的腐蚀方式将离型基材腐蚀去除，金属离型基材的腐蚀例如化学腐蚀。

氟树脂粉体为选自聚四氟乙烯（PTFE）粉体、少量全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物（PFA）粉体、聚全氟化乙丙烯（FEP）粉体中的至少一种，即氟树脂粉体为上述三种粉体中的一种，或者为上述三种粉体中任意两种的混合或者三种粉体的混合。

进一步的，S2分散处理的混合物料浆料细度不大于15μm。浆料细度大于15μm，氟树脂容易团聚，同样会导致介电性能的降低以及介电常数分布不一致。

优选的技术方案为，以氟树脂粉体和液晶聚合物的质量之和100%计，氟树脂粉体的质量占比为10～40%，优选20～40%，进一步优选30～40%；

优选的，所述氟树脂粉体的平均粒径为2～10μm。