[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

至少一个子集电极层，设置于基板的表层部，具有导电性，在俯视时被绝缘性的区域围起；

双极晶体管，在俯视时配置于各个上述子集电极层的内部，在厚度方向上依次具备集电极层、基极层以及发射极层，上述集电极层与上述子集电极层连接；

发射极电极，俯视时在第一方向上具有较长的形状，并配置于与上述发射极层重叠的位置，与上述发射极层电连接；

基极电极，俯视时在上述第一方向上具有较长的形状，在与上述第一方向正交的第二方向上与上述发射极电极隔着间隔来配置，并与上述基极层电连接；

集电极电极，在俯视时，从上述发射极电极观察，配置于上述第二方向的一侧，而未配置于另一侧，并经由上述子集电极层来与上述集电极层电连接；以及

基极布线，在上述基极电极的长度方向的两端以外的部位与上述基极电极连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

从上述基极电极的在上述第一方向上的中心点到上述基极布线与上述基极电极的连接位置的在上述第一方向上的距离为上述基极电极的长度的1/4以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在上述第一方向上的位置不同的至少2处部位，上述基极布线与上述基极电极连接。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

在上述第二方向上排列配置有多个单元，上述多个单元分别包含上述子集电极层、上述双极晶体管、上述发射极电极、上述基极电极、以及上述集电极电极，

还具有发射极凸块，在俯视时，上述发射极凸块与上述多个单元的上述发射极电极重叠，并与上述多个单元的上述发射极电极电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

上述多个单元中的相互相邻的2个单元具有上述集电极电极、上述发射极电极、以及上述基极电极的在上述第二方向上的排列顺序相反的结构，

还具有集电极布线，上述集电极布线与上述多个单元的每一个单元的上述集电极电极连接，并从上述集电极电极沿上述第一方向引出，

与上述多个单元中的上述集电极电极彼此在上述第二方向上相邻配置的2个单元的上述集电极电极连接的上述集电极布线被2个单元共享。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其中，

上述基极布线包含：从与上述基极电极的连接位置沿上述第二方向引出的第一部分、以及从上述第一部分的前端沿上述第一方向延伸的第二部分，

在上述第二方向上相邻的2个单元中，上述基极布线的上述第一部分从具有在上述第二方向上上述集电极电极配置于比上述基极电极靠外侧的结构的2个单元的上述基极电极朝着相互接近的方向引出，上述基极布线的上述第二部分被2个单元共享。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述基板是(100)GaAs基板，

上述第一方向是上述基板的[01－1]方向，

上述集电极层构成配置在上述基板上的台面状的集电极台面，

在俯视时，上述基极布线与上述集电极台面的平行于上述第一方向的边缘交叉，并从上述集电极台面的内侧引出到外侧。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述基板是(100)GaAs基板，

上述第一方向是上述基板的[011]方向，

上述集电极层包含于配置在上述基板上的台面状的集电极台面，

在俯视时，上述基极布线在从与上述基极电极连接的位置沿上述第二方向引出之后，与上述集电极台面的平行于上述第二方向的边缘交叉，并从上述集电极台面的内侧引出到外侧。