[发明专利]一种阵列基板、显示装置及制作方法在审
| 申请号: | 202010984713.1 | 申请日: | 2020-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN112071889A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
| 发明(设计)人: | 曾科文;陈腾;詹裕程;李栓柱;杨波;景阳钟;李家毅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,包括第一显示区域和第二显示区域,其特征在于,所述阵列基板包括依次层叠设置在衬底上的有机层、无机层、阳极、像素界定层和蒸镀层,其中
所述第一显示区域包括按照第一像素密度阵列排布的多个第一像素,所述第一显示区域的有机层包括设置在相邻第一像素间的具有第一深度的第一隔离槽,所述第一显示区域的无机层包括贯通其的第一过孔,所述第一过孔与所述第一隔离槽对应设置以露出所述第一隔离槽;
所述第二显示区域包括按照第二像素密度阵列排布的多个第二像素,所述第二显示区域的有机层包括设置在相邻第二像素间的具有第二深度的第二隔离槽,所述第二显示区域的无机层包括贯通其的第二过孔,所述第二过孔与所述第二隔离槽对应设置以部分露出所述第二隔离槽,所述第二显示区域的蒸镀层对应于所述第二隔离槽的边缘位置断开;
所述第一像素密度大于所述第二像素密度,所述第一深度小于所述第二深度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述蒸镀层对应于所述第一隔离槽的边缘位置的厚度小于所述蒸镀层对应于所述像素界定层位置的厚度;
或者
所述蒸镀层对应于所述第一隔离槽的边缘位置断开。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一深度大于0.1μm,小于1μm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述第二隔离槽的侧壁向所述无机层的外侧凸出,形成内凹结构;
和/或
所述第二深度大于1μm,小于2μm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一显示区域采用主动驱动式有机发光二极管单元,所述第二显示区域采用被动驱动式有机发光二极管单元;
或者
所述第一显示区域和第二显示区域均采用主动驱动式有机发光二极管单元。
6.一种制作如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板的方法,其特征在于,包括:
依次层叠形成在衬底上的有机层和无机层;
图案化形成贯通所述无机层的第一过孔和第二过孔,以及在所述有机层上形成的具有第一深度的与所述第一过孔对应的第一隔离槽和与所述第二过孔对应的第三隔离槽,其中,所述第一过孔和第一隔离槽以第一像素密度阵列排布并形成第一显示区域,所述第二过孔和第三隔离槽以第二像素密度阵列排布并形成第二显示区域,所述第一像素密度大于所述第二像素密度;
依次形成在所述无机层上的阳极和像素界定层,所述第一显示区域包括以第一像素密度阵列排布的多个第一阳极和对应的第一像素界定层,所述第二显示区域包括以第二像素密度阵列排布的多个第二阳极和对应的第二像素界定层;
图案化所述第三隔离槽形成具有第二深度的第二隔离槽,所述第二隔离槽部分从所述第二过孔露出;
形成覆盖所述像素界定层、露出的第一隔离槽、阳极和第二隔离槽的蒸镀层,所述蒸镀层对应于所述第二隔离槽的边缘位置断开。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述形成覆盖所述像素界定层、露出的第一隔离槽、阳极和第二隔离槽的蒸镀层进一步包括:
响应于具有所述第一深度的第一隔离槽,所述蒸镀层对应于所述第一隔离槽的边缘位置的厚度小于所述蒸镀层对应于所述像素界定层位置的厚度;
或者
响应于具有所述第一深度的第一隔离槽,所述蒸镀层对应于所述第一隔离槽的边缘位置断开。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一深度大于0.1μm,小于1μm。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,
所述图案化所述第三隔离槽形成具有第二深度的第二隔离槽,所述第二隔离槽部分从所述第二过孔露出进一步包括:所述第二隔离槽的侧壁向所述无机层的外侧凸出,形成内凹结构;
和/或
所述第二深度大于1μm,小于2μm。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





