[发明专利]用于微机械系统的制造方法和微机械系统

权利要求书

1.用于微机械系统的制造方法，所述制造方法具有以下步骤：

将第一微机械功能层(F1)施加在衬底(S)上；

在第一各向异性的蚀刻步骤中在所述第一微机械功能层(F1)的第一区域(B1)中构造多个二维布置的、彼此间隔开的、长形的蚀刻沟(K2、K3)，其中，所述蚀刻沟(K2、K3)在一个或两个纵向端部处通过相应的由所述第一微机械功能层(F1)形成的中断区域(U1、U2)与相邻的蚀刻沟(K2、K3)间隔开，所述蚀刻沟实施直至第一蚀刻深度，该第一蚀刻深度小于所述第一微机械功能层(F1)的厚度；并且

在随后的各向同性的蚀刻步骤中将所述蚀刻沟(K2、K3)扩展直至第二蚀刻深度，该第二蚀刻深度大于所述第一蚀刻深度并且小于所述第一微机械功能层(F1)的厚度，其中，所述蚀刻沟(K2、K3)在所述第一微机械功能层(F1)的内部扩开并且所述中断区域(U1、U2)被下部蚀刻，使得相邻的所述蚀刻沟(K2、K3)在所述第一微机械功能层(F1)的内部在所述中断区域(U1、U2)下方相互连接，其中，所述中断区域(U1、U2)保持在所述第一微机械功能层(F1)的上侧处。

2.根据权利要求1所述的用于微机械系统的制造方法，其中，

所述蚀刻沟(K2、K3)具有第一多数的第一蚀刻沟(K2)和第二多数的第二蚀刻沟(K3)；

所述中断区域(U1、U2)具有第一多数的第一中断区域(U1)和第二多数的第二中断区域(U2)；

在所述第一各向异性的蚀刻步骤和随后的各向同性的蚀刻步骤中，第一多数的第一蚀刻沟(K2)沿第一纵向方向(x)走向地构造，并且第二多数的第二蚀刻沟(K3)沿第二纵向方向(y)走向地构造；

其中，第一蚀刻沟(K2)和第二蚀刻沟(K3)沿所述第一纵向方向(x)分别交替地布置，并且所述第二蚀刻沟(K3)沿所述第二纵向方向(y)彼此成排地布置；

其中，沿所述第一纵向方向(x)在第一和第二蚀刻沟(K2、K3)之间分别设置有所述第一中断区域(U1)；

其中，沿所述第二纵向方向(y)在所述第二蚀刻沟(K3)之间分别设置有所述第二中断区域(U2)。

3.根据权利要求2所述的用于微机械系统的制造方法，其中，所述第一纵向方向(x)基本上垂直于所述第二纵向方向(y)地布置。

4.根据前述权利要求中任一项所述的用于微机械系统的制造方法，其中，在施加所述第一微机械功能层(F1)之前将第一牺牲层(O)施加在所述衬底(S)上，其中，紧接着所述各向同性的蚀刻步骤在第二各向异性的蚀刻步骤中将所述蚀刻沟(K2、K3)蚀刻直至第三蚀刻深度，该第三蚀刻深度延伸经过所述第一微机械功能层(F1)的整个深度，并且所述蚀刻沟(K2、K3)使所述第一牺牲层(O)露出，其中，所述中断区域(U1、U2)保持在所述第一微机械功能层(F1)的上侧处，其中，在所述第一微机械功能层(F1)的下侧处形成另外的中断区域(U3)，所述另外的中断区域沿所述第一微机械功能层(F1)的深度方向朝着所述中断区域(U1、U2)定向。

5.根据权利要求4所述的用于微机械系统的制造方法，其中，通过第一和第二各向异性的蚀刻步骤以及所述各向同性的蚀刻步骤在所述第一区域(B1)的周边中形成另外的蚀刻沟(K0、K1、K1’)。

6.根据权利要求5所述的用于微机械系统的制造方法，其中，所述另外的蚀刻沟(K0、K1、K1’)具有第三多数的蚀刻沟(K1、K1’)，所述第三多数的蚀刻沟环形闭合地围绕所述第一区域(B1)。

7.根据权利要求6所述的用于微机械系统的制造方法，其中，构造第二牺牲层(O’)，该第二牺牲层使所述蚀刻沟(K2、K3)和所述另外的蚀刻沟(K0、K1、K1’)在上侧处封闭并且在内部中覆盖，其中，在蚀刻沟(K0、K1、K1’、K2、K3)的扩开的区域中保留相应的空腔(HZ)。