[发明专利]VCSEL激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种VCSEL激光器，其特征在于，包括：

外延结构，所述外延结构包括有源区、分别形成于所述有源区上下两侧的第一反射器和第二反射器，以及，位于所述有源区上方的氧化限制层，所述氧化限制层具有用于限制所述VCSEL激光器的出光孔径的氧化开孔；

形成于所述外延结构上且电连接于所述外延结构的种子金属层；

形成于所述种子金属层上且电连接于所述种子金属层的第一电极，其中，所述第一电极具有贯穿地形成于其中且对应于所述氧化开孔的出光孔；

设置于所述种子金属层的周围的保护层，其中，所述保护层隔离所述种子金属层于外界；以及

电连接于所述外延结构的第二电极。

2.根据权利要求1所述的VCSEL激光器，其中，所述保护层叠置地形成于所述种子金属层上并包覆所述种子金属层，通过这样的方式，以隔离所述种子金属层于外界。

3.根据权利要求1所述的VCSEL激光器，其中，所述保护层与所述种子金属层位于所述第一电极内。

4.根据权利要求1所述的VCSEL激光器，其中，所述保护层环绕地设置于所述第一电极的侧壁，通过这样的方式，以隔离所述种子金属层于外界。

5.根据权利要求3所述的VCSEL激光器，其中，所述保护层由金属可导电材料制成且所述金属可导电材料具有较弱的金属活泼性。

6.根据权利要求5所述的VCSEL激光器，其中，所述保护层选自Au、Pt和Pd任意一种。

7.根据权利要求6所述的VCSEL激光器，其中，所述保护层的厚度为0.1um-5um。

8.根据权利要求4所述的VCSEL激光器，其中，所述保护层为钝化层。

9.根据权利要求8所述的VCSEL激光器，其中，所述钝化层的厚度为0.1um-5um。

10.根据权利要求8所述的VCSEL激光器，其中，所述钝化层的制成材料选自由二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝所组成的群组中任意中一种或几种。

11.一种VCSEL激光器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一外延层，所述外延结构包括有源区、分别形成于所述有源区上下两侧的第一反射器和第二反射器，以及，位于所述有源区上方的氧化限制层，所述氧化限制层具有用于限制所述VCSEL激光器的出光孔径的氧化开孔；

在所述外延层上形成电连接于所述外延结构的种子金属层；

叠置地在所述种子金属层上形成包覆所述种子金属层的保护层，所述保护层电连接于所述种子金属层；

在所述保护层上形成电连接于所述保护层的第一电极；

去除所述第一电极的至少一部分以形成贯穿于所述第一电极且对应于所述氧化开孔的出光孔，其中，所述保护层确保所述种子金属层与外界相隔离；以及

形成电连接于所述外延结构的第二电极。

12.根据权利要求11所述的VCSEL激光器的制备方法，其中，叠置地在所述种子金属层上形成包覆所述种子金属层的保护层，所述保护层电连接于所述种子金属层，包括：

通过电镀工艺在所述种子金属层上叠置地形成包覆所述种子金属层的保护层。

13.根据权利要求12所述的VCSEL激光器的制备方法，其中，所述保护层选自Au、Pt、Pd任意一种。

14.根据权利要求13所述的VCSEL激光器的制备方法，其中，所述保护层的厚度为0.1um-5um。