[发明专利]一种太阳能电池以及制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

层叠的第一子电池、第一隧穿结层、第二子电池、第二隧穿结层、第三子电池以及位于所述第一隧穿结层和所述第二子电池之间的变质缓冲层；

其中，所述变质缓冲层中含有Sb原子。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述变质缓冲层包括至少三个膜层，所述至少三个膜层包括至少两个缓冲层和一个过冲层；

其中，所述至少三个膜层的晶格常数沿所述第一子电池至所述第二子电池方向逐渐增大，且所述至少三个膜层的晶格常数大于所述第一子电池的晶格常数，所述过冲层的晶格常数大于所述第二子电池的晶格常数。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述变质缓冲层中Sb原子与三族的原子比的取值范围为1E-6～1E-3，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述变质缓冲层为Zn掺杂的变质缓冲层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述变质缓冲层的Zn掺杂浓度取值范围为5E17～5E18，包括端点值。

6.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述至少三个膜层中各膜层中Zn的掺杂浓度相同。

7.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

在第一子电池表面形成第一隧穿结层；

在所述第一隧穿结层背离所述第一子电池一侧表面形成变质缓冲层；

在所述变质缓冲层背离所述第一隧穿结层一侧表面形成第二子电池；

在所述第二子电池背离所述变质缓冲层一侧表面形成第二隧穿结层；

在所述第二隧穿结层背离所述第二子电池一侧表面形成第三子电池；

其中，所述变质缓冲层的形成过程中通入含有Sb原子的MO源。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述第一隧穿结层背离所述第一子电池一侧表面形成变质缓冲层的过程中通入TESb的MO源。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述第一隧穿结层背离所述第一子电池一侧表面形成变质缓冲层包括：

在所述第一隧穿结层背离所述第一子电池一侧表面依次形成至少三个膜层，所述至少三个膜层包括至少两个缓冲层和一个过冲层；

其中，所述至少三个膜层的晶格常数沿所述第一子电池至所述第二子电池方向逐渐增大，且所述至少三个膜层的晶格常数大于所述第一子电池的晶格常数，所述过冲层的晶格常数大于所述第二子电池的晶格常数。