[发明专利]用于爆炸物检测的十字型半导体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种用于爆炸物检测的十字型半导体材料，其特征在于，所述半导体材料的化学结构式为下列式I、式II、式Ⅲ、式Ⅳ或式Ⅴ中的任一结构，

其中，R为H或者碳原子数为6～14的烷基；R`为H或者碳原子数为6～14的烷基。

2.一种用于爆炸物检测的十字型半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

S1：将R-吡咯化合物和烷基胺盐投加到有机溶剂I中，继续加入含有醛基的R`-呋喃或者含有醛基的R`-吡啶、以及催化剂I，控制温度，并进行回流反应，过滤，干燥，制得固体反应粗品；

S2：将固体反应粗品和催化剂II投加到有机溶剂II中，控制温度，并进行回流反应，将反应后的混合液倒入水中，抽滤，制得深棕色固体；

S3：将步骤S2所得深棕色固体通过硅胶柱分离，提纯，即得黄色固体终产物。

3.根据权利要求2所述的用于爆炸物检测的十字型半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述的R-吡咯化合物为R取代的R-吲哚或R-噻吩并吡咯，其中，R为H或者烷基，其中的烷基的碳原子数为6～14。

4.根据权利要求2所述的用于爆炸物检测的十字型半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述的含有醛基的R`-呋喃为R`-呋喃-2-甲醛或者R`-苯并呋喃-2-甲醛，所述的含有醛基的R`-吡啶为R`-吡啶醛。

5.根据权利要求2所述的用于爆炸物检测的十字型半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述的烷基胺盐为四乙基氯化铵或者四丁基碘化铵。

6.根据权利要求2所述的用于爆炸物检测的十字型半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述的有机溶剂I为乙腈、THF、甲苯或者DMF中的任意一种，步骤S2中所述的有机溶剂II为乙腈、THF、甲苯或者DMF中的任意一种。

7.根据权利要求2所述的用于爆炸物检测的十字型半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述的催化剂I为HBF₄、HI或I₂，步骤S2中所述的催化剂II为HBF₄、HI或I₂。

8.根据权利要求2所述的用于爆炸物检测的十字型半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中回流反应的时间为10～14h，温度控制在50～80℃；步骤S2中回流反应的时间为10～14h，温度控制在50～80℃。

9.根据权利要求2所述的用于爆炸物检测的十字型半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中R-吡咯化合物与含有醛基的R`-呋喃或者含有醛基的R`-吡啶的摩尔比为1:(1～1.2)，R-吡咯化合物与烷基胺盐、催化剂I的摩尔比为1:(0.05～0.10):(0.05～0.10)；步骤S2中的催化剂II与原料R-吡咯化合物的摩尔比为(0.05～0.10):1。

10.基于权利要求1所述的用于爆炸物检测的十字型半导体材料的应用，其特征在于，该半导体材料用于化学爆炸物检测传感器、发光二极管的制备材料。