[发明专利]C波段超宽带能量选择表面

权利要求书

1.C波段超宽带能量选择表面，其特征在于：包括从下到下依次层叠的第一金属周期结构、第一介质基板、第二金属周期结构、第二介质基板和第三金属周期结构；其中第一金属周期结构为由多个第一金属单元均匀排列而成周期阵列结构；第一金属周期结构中的第一金属单元为对称结构且整体呈正方形，包括位于第一金属单元四角位置的四块第一金属贴片、位于第一金属单元中间且相隔一定间距的两块第二金属贴片以及焊接在两块第二金属贴片之间的PIN二极管，第一金属周期结构中同一纵列上的第一金属单元的PIN二极管的排列方向一致；第二金属周期结构为由多个第二金属单元均匀排列而成周期阵列结构，所述第二金属单元为正方形，第二金属单元其金属贴片呈正方形框状结构；第三金属周期结构与第一金属周期结构的结构相同，且第三金属周期结构的方向与第一金属周期的方向垂直，第三金属周期结构由第一金属周期结构围绕中心旋转90度得到。

2.根据权利要求1所述的C波段超宽带能量选择表面，其特征在于：所述第二金属贴片靠近PIN二极管的一段具有宽度渐变，靠近PIN二极管的一段其宽度是逐渐变小的。

3.根据权利要求1所述的C波段超宽带能量选择表面，其特征在于：第一金属贴片与第二金属贴片之间均相隔一定间距且四块第一金属贴片的大小、形状完全相同。

4.根据权利要求1所述的C波段超宽带能量选择表面，其特征在于：四块第一金属贴片均为长方形。

5.根据权利要求1至4任一项所述的C波段超宽带能量选择表面，其特征在于：第一金属周期结构、第二金属周期结构、第三金属周期结构的周期一致。

6.根据权利要求5所述的C波段超宽带能量选择表面，其特征在于：所述第一介质基板和第二介质基板均选用roggers5880。

7.根据权利要求5所述的C波段超宽带能量选择表面，其特征在于：所述PIN二极管为恩智浦公司的BAP-51-02。