[发明专利]一种有机硅副产高沸物综合利用的方法

权利要求书

1.一种有机硅副产高沸物综合利用的方法，其特征在于，有机硅高沸物与氯化氢气体按质量比1：2通入高沸物裂解反应系统A，所述的氯化氢气体为水解产生的HCl气体与初始加入的HCl气体以体积比1：1的混合物，控制高沸物裂解反应系统A反应温度150℃、表压0.2MPa，有机硅高沸物进料量0.8m³/h，所述的有机硅高沸物是指甲基氯硅烷单体合成过程中产生的副产物，常压下沸程为80-180℃，在空气中易水解产生HCl气体；主要是含有Si-Si，Si-O-Si，Si-CH₂-Si的化合物，有机硅高沸物中Cl原子数与Si原子数之比为2.0；

裂解产物进入高沸物裂解分离系统B，高沸物裂解分离系统B表压为0.05MPa，分离的气体进入高沸物冷凝器C处理，高沸物冷凝器C出料温度为30℃，得到高沸物一；

高沸物一与去离子水按质量比1：0.2进入高沸物水解反应系统D，控制水解温度为-5℃，得到粗高沸硅油和水解产生的HCl气体；得到的粗高沸硅油经中和、后处理后即可得到成品硅油；有机硅高沸物裂解转化率30%，裂解得到的单体为一甲基三氯硅烷占单体总质量的75%、二甲基二氯硅烷占单体总质量的25%，成品高沸硅油粘度25℃，mm²/s：23.25；折光率25℃：1.4467。

2.一种有机硅副产高沸物综合利用的方法，其特征在于，有机硅高沸物与氯化氢气体按质量比1：2通入高沸物裂解反应系统A，所述的氯化氢气体为水解产生的HCl气体与初始加入的HCl气体以体积比1：1的混合物，控制高沸物裂解反应系统A反应温度150℃、表压0.3MPa，有机硅高沸物进料量0.8m³/h，所述的有机硅高沸物是指甲基氯硅烷单体合成过程中产生的副产物，常压下沸程为80-180℃，在空气中易水解产生HCl气体；主要是含有Si-Si，Si-O-Si，Si-CH₂-Si的化合物，有机硅高沸物中Cl原子数与Si原子数之比为2.0；

裂解产物进入高沸物裂解分离系统B，高沸物裂解分离系统B表压为0.05MPa，分离的气体进入高沸物冷凝器C处理，高沸物冷凝器C出料温度为30℃，得到高沸物一；

高沸物一与去离子水按质量比1：0.2进入高沸物水解反应系统D，控制水解温度为-5℃，得到粗高沸硅油和水解产生的HCl气体；得到的粗高沸硅油经中和、后处理后即可得到成品硅油；有机硅高沸物裂解转化率45%，裂解得到的单体为一甲基三氯硅烷占单体总质量的64%、二甲基二氯硅烷占单体总质量的36%，成品高沸硅油粘度25℃，mm²/s：32.36；折光率25℃：1.4456。

3.一种有机硅副产高沸物综合利用的方法，其特征在于，有机硅高沸物与氯化氢气体按质量比1：2通入高沸物裂解反应系统A，所述的氯化氢气体为水解产生的HCl气体与初始加入的HCl气体以体积比1：1的混合物，控制高沸物裂解反应系统A反应温度150℃、表压0.3MPa，有机硅高沸物进料量0.8m³/h，所述的有机硅高沸物是指甲基氯硅烷单体合成过程中产生的副产物，常压下沸程为80-180℃，在空气中易水解产生HCl气体；主要是含有Si-Si，Si-O-Si，Si-CH₂-Si的化合物，有机硅高沸物中Cl原子数与Si原子数之比为2.0；

裂解产物进入高沸物裂解分离系统B，高沸物裂解分离系统B表压为0.05MPa，分离的气体进入高沸物冷凝器C处理，高沸物冷凝器C出料温度为30℃，得到高沸物一；

高沸物一与去离子水按质量比1：0.5进入高沸物水解反应系统D，控制水解温度为-5℃，得到粗高沸硅油和水解产生的HCl气体；得到的粗高沸硅油经中和、后处理后即可得到成品硅油；有机硅高沸物裂解转化率45%，裂解得到的单体为一甲基三氯硅烷占单体总质量的50%、二甲基二氯硅烷占单体总质量的50%，成品高沸硅油粘度25℃，mm²/s：29.47；折光率25℃：1.4489。