[发明专利]一种线圈移动式PVT工艺高质量晶体制备装置及方法

权利要求书

1.一种线圈移动式PVT工艺高质量晶体制备装置，其特征在于：包括反应室(1)、感应线圈(3)、坩埚体(4)、托板(7)和升降电机(9)，反应室(1)的内部放置坩埚体(4)，坩埚体(4)的上盖部分放置有籽晶(5)，坩埚体(4)内装有反应原料(6)，反应室(1)的外部套装有感应线圈(3)和托板(7)，感应线圈(3)安装在托板(7)上，托板(7)的下部与升降电机(9)的驱动端连接，升降电机(9)与框架(8)固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种线圈移动式PVT工艺高质量晶体制备装置，其特征在于：所述托板(7)上安装有绝缘板(2)，绝缘板(2)上加工有竖孔(10)，竖孔(10)内安装有固定螺栓(11)，绝缘板(2)与感应线圈(3)通过固定螺栓(11)连接。

3.根据权利要求2所述的一种线圈移动式PVT工艺高质量晶体制备装置，其特征在于：所述感应线圈(3)的上侧设置测温装置(12)。

4.根据权利要求3所述的一种线圈移动式PVT工艺高质量晶体制备装置，其特征在于：所述测温装置(12)和升降电机(9)与控制端电性连接，控制端与逆变器电性连接，逆变器与感应线圈(3)电性连接，整流器与逆变器电性连接，整流器与供电电源电性连接。

5.基于权利要求4所述的一种线圈移动式PVT工艺高质量晶体制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：根据工艺需求和热场设计，通过竖孔(10)与固定螺栓(11)的紧固位置确定感应线圈(3)的间距；

步骤二：打开供电电源，供电电源通过整流和逆变将供电转换为所需的中频电源，连接到感应线圈(3)并为感应线圈(3)供电，感应线圈(3)对坩埚体(4)进行加热，进行单晶材料制备；

步骤三：反应过程中，晶体生长阶段，根据晶体生长速率，控制端控制升降电机(9)带动托板(7)缓慢向下运动，感应线圈(3)随着托板(7)缓慢向下运动，运动速度与籽晶(5)处晶体生长速率相匹配，实现高温区从反应原料(6)表面附近向下运动，同时保持原料与晶体生长界处的温度梯度。

步骤四：感应线圈(3)下降到指定位置后，反应结束后，断开供电电源。

6.根据权利要求5所述的一种线圈移动式PVT工艺高质量晶体制备方法，其特征在于：测温装置(12)检测感应线圈(3)上方的温度并将信号传递给控制端。