[发明专利]一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010972585.9 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112259701A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 苏仕健;刘鑫妍;孟凡源;孙冠伟 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 齐键 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将CsI、CsBr和PbI2混合配制成钙钛矿前驱体溶液；
2)配制乙基碘化胺溶液；
3)将钙钛矿前驱体溶液和乙基碘化胺溶液混合，成膜，退火，即得钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将CsI、CsBr和PbI2加入有机溶剂中，升温至50℃～70℃，进行搅拌，得到钙钛矿前驱体溶液；
2)将乙基碘化胺加入有机溶剂中，升温至50℃～70℃，进行搅拌，得到乙基碘化胺溶液；
3)将钙钛矿前驱体溶液和乙基碘化胺溶液混合，成膜，退火，即得钙钛矿薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述CsI、CsBr、PbI2、乙基碘化胺的摩尔比为(0.5～1)：(0.5～1)：2：(0.8～1.2)。
4.根据权利要求3所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1)所述钙钛矿前驱体溶液中PbI2的浓度为0.1mol/L～0.4mol/L。
5.根据权利要求3所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述乙基碘化胺溶液的浓度为0.08mol/L～0.32mol/L。
6.根据权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：步骤3)所述成膜为旋涂成膜。
7.根据权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：步骤3)所述退火在70℃～90℃下进行，退火时间为30s～50s。
8.一种钙钛矿薄膜，其特征在于：由权利要求1～7中任意一项所述的方法制备得到。
9.一种电致发光器件，其特征在于：包含权利要求8所述的钙钛矿薄膜。
10.根据权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件可以为以下叠层结构中的任意一种结构：
阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
阳极/空穴传输层/发光层/阴极；
所述发光层包含权利要求8所述的钙钛矿薄膜。
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