[发明专利]存储设备及其操作方法在审
| 申请号: | 202010971671.8 | 申请日: | 2020-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN112540722A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
| 发明(设计)人: | S.帕瓦 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 设备 及其 操作方法 | ||
一种包括一个或多个非易失性存储器的存储设备的操作方法,包括:将参考数据存储在一个或多个非易失性存储器的第一存储器区域中;当参考数据的访问频率超过第一参考值时,将与参考数据相同的第一复制数据存储在一个或多个非易失性存储器的第二存储器区域中;在第一复制数据被存储之后,当参考数据或第一复制数据的访问频率超过第一参考值时,将与参考数据相同的第二复制数据存储在一个或多个非易失性存储器的第三存储器区域中;以及,管理第二和第三存储器区域的第二和第三物理地址,使得第一存储器区域的第一物理地址对应于第二和第三物理地址。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年9月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0116814号的优先权,其公开的内容通过引用整体并入本申请。
技术领域
本文公开的发明构思的各种示例实施例涉及一种半导体设备,更具体地涉及一种用于管理存储在非易失性存储器中的数据的存储设备及其操作方法。
背景技术
存储设备是指在诸如计算机、智能电话、智能平板等的主机设备的控制下存储数据的设备。存储设备包括将数据存储在磁盘(例如,硬盘驱动器(hard disk drive,HDD))上的设备;或者将数据存储在半导体存储器,尤其是非易失性存储器(例如,固态驱动器(solid state drive,SSD)或存储卡)中的设备。
非易失性存储器设备包括只读存储器(read only memory,ROM)、可编程ROM(programmable ROM,PROM)、电可编程ROM(electrically programmable ROM,EPROM)、电可擦除可编程ROM(electrically erasable and programmable ROM,EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(phase-change random access memory,PRAM)、磁性RAM(magnetic RAM,MRAM)、阻变RAM(resistive RAM,RRAM)、铁电RAM(ferroelectric RAM,FRAM)等。
为了在容量有限的存储设备中存储大量数据,存储设备执行数据去重(deduplication)。通过去重,存储设备可以存储具有相同值的多个数据中的仅一个或多个。这样,要存储在存储设备中的数据量可以减少。然而,在通过去重将多个数据中的一个或多个存储在存储设备中的情况下,可能会频繁地访问所存储的数据。在这种情况下,存储设备的性能和可靠性可能会下降。因此,需要在提高存储设备的性能的同时确保存储设备的可靠性。
发明内容
本发明构思的各种示例实施例提供了即使执行去重也能够确保频繁访问的数据的可靠性的存储设备。
根据示例性实施例,一种包括一个或多个非易失性存储器的存储设备的操作方法包括:将参考数据存储在一个或多个非易失性存储器的第一存储器区域中;当参考数据的访问频率超过第一参考值时,将与参考数据相同的第一复制数据存储在该一个或多个非易失性存储器的第二存储器区域中;在第一复制数据被存储之后,当参考数据或第一复制数据的访问频率超过第一参考值时,将与参考数据相同的第二复制数据存储在该一个或多个非易失性存储器的第三存储器区域中;以及,随着第一复制数据和第二复制数据被存储在该一个或多个非易失性存储器中,管理第二存储器区域的第二物理地址和第三存储器区域的第三物理地址,使得第一存储器区域的第一物理地址对应于第二物理地址和第三物理地址。
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