[发明专利]一种应用于包络跟踪电源调制器的降频采样与控制电路

权利要求书

1.一种应用于包络跟踪电源调制器的降频采样与控制电路，其特征在于，包括：采样单元，滤波单元，比较单元；其中：

所述采样单元包括：采样电阻，镜像NMOS晶体管，镜像PMOS晶体管；

所述采样电阻用于将线性放大器输出端与包络跟踪电源调制器的输出端隔离；

所述镜像NMOS晶体管与包络跟踪电源调制器中线性放大器输出级NMOS功率晶体管的长度相等，宽度比为1：N，二者的栅极连在一起，二者的漏极连在一起；所述镜像PMOS晶体管与包络跟踪电源调制器中线性放大器输出级PMOS功率晶体管的长度相等，宽度比为1：N，二者的栅极连在一起，二者的漏极连在一起；所述N的值为200-1000；所述镜像NNOS晶体管的源极与所述镜像PMOS晶体管的源极连在一起；

所述采样电阻一端连接所述镜像NNOS晶体管的源极，另一端连接包络跟踪电源调制器中线性放大器的输出端；

所述滤波单元，有相同的两个；两个滤波单元的输入端连接所述采样电阻的两端，输出端连接所述比较单元；

所述采样单元还包括：分压电阻，运算跨导放大器；

所述运算跨导放大器同相输入端连接包络跟踪电源调制器中线性放大器的输出端，反相输入端连接所述镜像NMOS晶体管的源极，输出端连接所述采样电阻的一端；

所述分压电阻一端连接所述采样电阻，另一端连接所述镜像NMOS晶体管的源极；

所述两个滤波单元，每个滤波单元为一阶、二阶、三阶或四阶RC低通滤波器；每一阶RC低通滤波器由一滤波电阻和一滤波电容组成；

为了在保证有效滤除包络信号中的高频成分的同时保证对平均功率的跟踪速度，要求经两个低通滤波器滤波后输出信号差的绝对值，其高频成分的峰峰值小于2倍的比较单元中比较器的迟滞电压。

2.根据权利要求1所述的降频采样与控制电路，其特征在于，所述比较单元包括迟滞比较器；所述迟滞比较器的迟滞电压为固定值。

3.根据权利要求1所述的降频采样与控制电路，其特征在于，所述比较单元包括迟滞比较器；所述迟滞比较器的迟滞电压可调。