[发明专利]一种显示面板及其形成方法在审
| 申请号: | 202010968901.5 | 申请日: | 2020-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN112038388A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
| 发明(设计)人: | 徐扬;宋文博;张雅萍 | 申请(专利权)人: | 张家港市鸿嘉数字科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人: | 许莉莉 |
| 地址: | 215600 江苏省苏州市张家港经济开发*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 形成 方法 | ||
本发明涉及一种显示面板及其形成方法,该方法包括以下步骤:将基板定义出显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域,在所述基板上沉积缓冲层、有源单元、栅极介质层、栅极单元、二氧化硅层间层、源电极和漏电极,在所述边缘非显示区域的四个角落处以及四条边的中间区域的所述二氧化硅层间层分别形成第一至第五沟槽,并对其进行粗糙化处理,接着形成第一、第二、第三SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构,接着分别形成第一凹陷区和第二凹陷区,接着在所述二氧化硅层间层上形成平坦化层,且所述平坦化层的一部分嵌入到所述第一凹陷区以及所述第二凹陷区中,接着在所述平坦化层上形成与所述漏电极电连接的像素电极以及有机发光元件。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,特别是涉及一种显示面板及其形成方法。
背景技术
有机发光二极管具有既薄又轻、主动发光、宽视角、快速响应、能耗低、低温和抗震性能优异以及潜在的柔性设计等优点。有机发光二极管为全固态器件,无真空腔,无液态成分,所以不怕震动,使用方便,加上高分辨力、视角宽和工作温度范围宽等特点,在武器装备和恶劣环境领域将会得到广泛应用。其中,有机发光二极管作为显示领域的平面背光源和照明光源应用,即有机发光二极管显示面板。然而现有的有机发光二极管显示面板在使用过程中,容易出现平坦化介质层剥离现象,目前,为了防止平坦化介质层剥离,通常是在层间绝缘层中设置通孔,进而将平坦化介质层嵌入到层间绝缘层中,然而上述技术手段无法有效防止有机发光二极管显示面板的边缘以及角落处的剥离。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种显示面板及其形成方法。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种显示面板的形成方法,包括以下步骤:
(1)提供一基板,将所述基板定义出显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域。
(2)接着在所述基板上沉积缓冲层。
(3)接着在所述无机缓冲层上沉积沉积有源材料层,并通过图案化工艺形成多个有源单元,每个所述有源单元包括源极区、沟道区和漏极区。
(4)接着在多个所述有源单元上沉积栅极介质层。
(5)接着在所述栅极介质层上沉积栅极材料层,并通过图案化工艺形成多个栅极单元,每个所述栅极单元位于相应的所述有源单元的正上方。
(6)接着在所述栅极介质层以及所述栅极单元上沉积二氧化硅层间层,接着在所述二氧化硅层间层中形成源极接触孔和漏极接触孔。
(7)接着在所述源极接触孔和所述漏极接触孔中沉积导电材料以分别形成源电极和漏电极。
(8)接着对位于所述边缘非显示区域的四个角落处的所述二氧化硅层间层进行刻蚀处理,以形成第一沟槽,接着在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽,接着在所述第二沟槽的底部形成第三沟槽,同时对位于所述边缘非显示区域的四条边的中间区域的所述二氧化硅层间层进行刻蚀处理以形成第四沟槽,接着在所述第四沟槽的底部形成第五沟槽,接着对所述二氧化硅层间层的上表面以及所述第一、第二、第三、第四、第五沟槽的侧壁和底面进行粗糙化处理。
(9)接着利用掩膜在所述第一、第二、第三沟槽中多次交替旋涂含有SiO2纳米线的分散液以及含有有机树脂的溶液,以形成第一SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构,所述第一SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构填满所述第一、第二、第三沟槽。
(10)接着利用掩膜在所述第四、第五沟槽中多次交替旋涂含有SiO2纳米线的分散液以及含有有机树脂的溶液,以形成第二SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构,所述第二SiO2米线以及有机树脂层叠结构填满所述第四、第五沟槽。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张家港市鸿嘉数字科技有限公司,未经张家港市鸿嘉数字科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010968901.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





