[发明专利]一种发光器件、显示装置

权利要求书

1.一种发光器件，包括发光层，其特征在于，所述发光层包括热激活延迟荧光材料；所述热激活延迟荧光材料包括供体基团、受体基团和连接基团；

所述供体基团和所述受体基团分别键合至所述连接基团；所述供体基团所在平面和所述连接基团所在平面之间的扭转角为θ1，所述受体基团所在平面和所述连接基团所在平面之间的扭转角为θ2；其中，θ1和θ2能够使得所述热激活延迟荧光材料的单重态能级与所述热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差小于常量T，0eV＜T＜0.3eV。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

80°＜θ1＜100°，0°≦θ2＜20°。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，85°＜θ1＜95°，0°＜θ2＜10°。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述供体基团包括吖啶类基团，所述受体基团包括吖嗪类基团，所述连接基团包括芳基。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料的通式为：

其中，A为单键、氧、硫、芳基、杂芳基中的任一种；X1、X2、X3为碳、氮中的任一种，X1、X2、X3至少一个为氮；R1、R2、R3为芳基、杂芳基中的任一种；L为芳基。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层还包括客体材料；所述客体材料掺杂在所述热激活延迟荧光材料中；

所述热激活延迟荧光材料的三重态能级T1_TADF与所述客体材料的三重态能级T1_dopant满足：T1_TADF-T1_dopant≥0.4eV。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括阴极和阳极，所述阳极和所述阴极分置于所述发光层中相对的两侧；

所述发光器件还包括：电子阻挡层和空穴阻挡层，所述电子阻挡层位于所述阳极和所述发光层之间，所述空穴阻挡层位于所述阴极和所述发光层之间。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料的最高分子占据轨道HOMO_TADF与所述电子阻挡层的最高分子占据轨道HOMO_EBL满足：HOMO_EBL-HOMO_TADF≤0.3eV；

所述热激活延迟荧光材料的最低分子未占据轨道LUMO_TADF与所述空穴阻挡层的最低分子未占据轨道LUMO_HBL满足：LUMO_TADF-LUMO_HBL≤0.3eV。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料的最高分子占据轨道HOMO_TADF与所述空穴阻挡层的最高分子占据轨道HOMO_HBL满足：HOMO_TADF-HOMO_HBL≥0.1eV；

所述热激活延迟荧光材料的最低分子未占据轨道LUMO_TADF与所述电子阻挡层的最低分子未占据轨道LUMO_EBL满足：LUMO_TADF-LUMO_EBL≥0.1eV。

10.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的三重态能级大于所述热激活延迟荧光材料的三重态能级；

所述空穴阻挡层的三重态能级大于所述热激活延迟荧光材料的三重态能级。