[发明专利]一种压电传感器的制备方法与压电传感器在审

专利信息
申请号: 202010968555.0 申请日: 2020-09-15
公开(公告)号: CN112129432A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 曹江浪;方鹏;李光林 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: G01L1/16 分类号: G01L1/16;H01L41/047;H01L41/29
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 黎坚怡
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 压电 传感器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种压电传感器的制备方法,其特征在于,包括:

提供压电驻极体;

在所述压电驻极体的一侧表面上设置信号阵列单元;

在所述压电驻极体表面未被所述信号阵列单元覆盖的区域设置绝缘层;

在所述绝缘层上制作信号导线,并使所述信号导线与所述信号阵列单元连接;

在所述压电驻极体远离所述信号阵列单元的一侧表面上设置地线层与地线导线,以获得所述压电传感器。

2.根据权利要求1所述的压电传感器的制备方法,其特征在于,所述在所述压电驻极体的一侧表面上设置信号阵列单元的步骤具体包括:

基于所述信号阵列单元的设定参数制备信号层掩膜板;

将所述信号层掩膜板置于所述压电驻极体的一侧表面上,控制金属颗粒沉积到所述压电驻极体表面,以形成所述信号阵列单元。

3.根据权利要求2所述的压电传感器的制备方法,其特征在于,所述在所述压电驻极体表面未被所述信号阵列单元覆盖的区域设置绝缘层的步骤具体包括:

基于所述信号阵列单元的设定参数制备信号层遮盖板;

利用所述信号层遮盖板对所述信号阵列单元进行遮盖处理后,控制高分子聚合物颗粒沉积到所述压电驻极体表面,以形成所述绝缘层。

4.根据权利要求3所述的压电传感器的制备方法,其特征在于,所述在所述绝缘层上设置信号导线,并使所述信号导线与所述信号阵列单元连接的步骤具体包括:

基于所述信号阵列单元制备与所述信号阵列单元连接的信号导线掩膜板;

将所述信号导线掩膜板置于所述信号阵列单元与所述绝缘层上,控制所述金属颗粒沉积到所述信号阵列单元与所述绝缘层的表面,以形成与所述信号阵列单元连接的所述信号导线。

5.根据权利要求4所述的压电传感器的制备方法,其特征在于,所述在所述压电驻极体远离所述信号阵列单元的一侧表面上设置地线层与地线导线,以获得所述压电传感器的步骤具体包括:

控制所述金属颗粒沉积到所述压电驻极体远离所述信号阵列单元的一侧表面,以形成所述地线层;其中,所述地线层的位置与所述信号阵列单元的位置相对应,以使所述地线层覆盖所述信号阵列单元;

基于所述地线导线与所述地线层的连接方式制备地线导线掩膜板;

将所述地线导线掩膜板置于所述地线层所在的压电驻极体表面上,控制金属颗粒沉积到所述压电驻极体表面形成与所述地线层连接的所述地线导线,以获得所述压电传感器。

6.根据权利要求5所述的压电传感器的制备方法,其特征在于,所述提供压电驻极体的步骤具体包括:

准备聚合物薄膜,对所述聚合物薄膜进行处理,以使所述聚合物薄膜具有微孔结构;

对具有所述微孔结构的聚合物薄膜进行极化处理,以使所述微孔结构的相对两壁上具有极性相反的空间电荷。

7.根据权利要求6所述的压电传感器的制备方法,其特征在于,所述聚合物薄膜为具有优异介电性能的高分子聚合物。

8.根据权利要求6所述的压电传感器的制备方法,其特征在于,所述金属颗粒为具有良好导电性能的金属。

9.根据权利要求6所述的压电传感器的制备方法,其特征在于,所述高分子聚合物颗粒为具有绝缘性的高分子聚合物。

10.一种压电传感器,其特征在于,包括:

压电驻极体;

信号阵列单元,设置于所述压电驻极体的一侧表面上;

绝缘层,所述绝缘层设置于所述压电驻极体表面未被所述信号阵列单元覆盖的区域;

信号导线,所述信号导线设置于所述绝缘层上,所述信号导线与所述信号阵列单元连接;

地线层与地线导线,所述地线层与所述地线导线设置于所述压电驻极体远离所述信号阵列单元的一侧表面上。

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