[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202010966490.6 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN113363267A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 朴泰奎 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
传感器像素的阵列,所述传感器像素的阵列用于检测入射光以输出指示所述入射光的图像的像素信号;
多个滤色器,所述多个滤色器分别形成在所述传感器像素上方以分别对入射到所述传感器像素的光进行过滤;
栅格,所述栅格设置在所述多个滤色器之间以形成相邻的传感器像素之间的边界;
第一反射层,所述第一反射层设置在所述栅格的上部上方,并且被图案化为包括在相邻的传感器像素之间的边界处的第一反射结构以反射光;以及
第二反射层,所述第二反射层设置在所述第一反射层上方并且与所述第一反射层间隔开,并且所述第二反射层被图案化为包括在相邻的传感器像素之间的边界处的第二反射结构以反射光,并且每个第二反射结构被形成为有角形状,以将入射到相邻的传感器像素之间的边界的光引导到相邻的传感器像素中。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第二反射结构的所述有角形状被构造为使得光通过在所述第一反射层中的每个第一反射结构和在所述第二反射层中的对应的第二反射结构处的相继反射而被引导到所述图像传感器中的光电转换元件。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述栅格包括:
第一栅格和第二栅格,所述第一栅格包括第一材料并且设置在包括第二材料的所述第二栅格上,所述第一材料不同于所述第二材料。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一反射结构包括具有预定斜率的倾斜表面。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第二反射层设置在形成于所述滤色器上方的上覆层和设置于所述滤色器上方的微透镜之间。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:
低折射率层,所述低折射率层形成为由所述第二反射层和所述上覆层限定的形状,并且包括低折射率材料。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中,所述低折射率材料包括空气。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第二反射结构包括:
第一表面,所述第一表面在第一侧,并且被形成为相对于形成在所述滤色器上方的上覆层具有第一角度;以及
第二表面,所述第二表面在与所述第一侧相对的第二侧,并且被形成为相对于所述上覆层具有第二角度。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,
所述第一角度和所述第二角度彼此相同。
10.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,
所述第一反射结构的中心线与所述第二反射结构的中心线相同。
11.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,
在所述传感器像素的阵列的在第一侧的第一边缘区域中,所述第一角度小于所述第二角度。
12.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,
在所述传感器像素的阵列的在第一侧的第一边缘区域中,所述第一反射结构的中心线相对于所述第二反射结构的中心线位于第二侧。
13.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,
在所述传感器像素的阵列的在第一侧的第一边缘区域中,所述第一表面的长度比所述第二表面的长度长。
14.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,
在所述传感器像素的阵列的在第二侧的第二边缘区域中,所述第二角度小于所述第一角度。
15.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,
在所述传感器像素的阵列的在第二侧的第二边缘区域中,所述第一反射结构的中心线相对于所述第二反射结构的中心线位于第一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的