[发明专利]一种自拉曼激光差频太赫兹辐射装置

权利要求书

1.一种自拉曼激光差频太赫兹辐射装置，其特征在于，包括自拉曼激光器(1)和差频组件(2)；

所述自拉曼激光器包括泵浦光源、激光谐振器；激光谐振器设在泵浦光源发射的泵浦光光路上；泵浦光源发射泵浦光经过激光谐振器后射出2路波长不同的激光至差频组件(2)；

所述差频组件(2)包括光束整形透镜(21)、差频晶块(22)和低通滤波片(23)，且依次放置在激光谐振器输出的激光光路上，差频晶块(22)为块状且放置在光束整形透镜(21)的出射光焦点处，2路波长不同的激光经过光束整形透镜(21)聚焦后照射差频晶块(22)、低通滤波片(23)后射出相干太赫兹辐射波。

2.根据权利要求1所述的一种自拉曼激光差频太赫兹辐射装置，其特征在于，所述泵浦光源为尾纤输出的波长为0.8μm的半导体激光器。

3.根据权利要求1所述的一种自拉曼激光差频太赫兹辐射装置，其特征在于，所述激光谐振器包括在泵浦光发射光路上依次设置的全反射镜(12)、激光与拉曼键合晶块(13)、声光Q开关(14)和激光输出镜(15)；

所述全反射镜(12)为片状且竖直放置；所述激光输出镜(15)为单面凹透镜且竖直放置，所述凹透镜的凹面朝向全反射镜(12),全反射镜(12)与激光输出镜(15)组成激光谐振腔。

4.根据权利要求3所述的一种自拉曼激光差频太赫兹辐射装置，其特征在于，所述声光Q开关(14)还连接驱动电源。

5.根据权利要求3所述的一种自拉曼激光差频太赫兹辐射装置，其特征在于，所述激光与拉曼键合晶块(13)由两段晶块键合而成，第一晶块材质为掺杂稀土离子的YVO4晶体，第二晶块材质为YVO4晶体，第一晶块在所述半导体光源泵浦下产生波长为1.3μm激光，第一波长激光经过第二晶块再受激拉曼散射产生另一波长为1.5μm的激光。

6.根据权利要求5所述的一种自拉曼激光差频太赫兹辐射装置，其特征在于，所述激光与拉曼键合晶块(13)为将两段晶体块的一侧端面抛光后通过加热挤压粘合在一起的晶块。

7.根据权利要求5所述的一种自拉曼激光差频太赫兹辐射装置，其特征在于，所述全反射镜(12)朝向泵浦光源的一面镀0.8μm增透膜、朝向激光输出镜的一面镀0.8μm增透膜、1.3μm和1.5μm高反膜。激光输出镜(15)朝向全反射镜的一面镀1.3和1.5μm反射膜，朝向光束整形透镜的一面镀1.3μm和1.5μm增透膜。

8.根据权利要求3所述的一种自拉曼激光差频太赫兹辐射装置，其特征在于，所述光束整形透镜(21)为凸透镜，双面镀1.3μm和1.5μm增透膜。

9.根据权利要求1所述的一种自拉曼激光差频太赫兹辐射装置，其特征在于，所述低通滤波片(23)为高电阻率Ge滤波片，截止剩余激光、透射出相干太赫兹辐射波。

10.根据权利要求7所述的一种自拉曼激光差频太赫兹辐射装置，其特征在于，所述差频晶块(22)材质为有机吡啶盐DAST晶体。