[发明专利]光阻脱除剂和电子元件及其制造方法

说明书

一种光阻脱除剂，包括由式1表示的醇醚类化合物、选自式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物的极性溶剂以及至少一种由式4表示的仲醇胺或叔醇胺，其中n为1～3的整数；R₁为C₁‑C₄烷基；R₂各自独立为氢或甲基；X₁和X₂可分别为C₁‑C₄亚烷基、C₂‑C₄亚烯基、R_x‑COOH或R_yOH，其中R_x为C₁‑C₃连结基，R_y为C₁‑C₄连结基；R₃为H、C₁‑C₄烷基或‑R_zOH，其中R_z为C₁‑C₄连结基；R₄和R₅分别为C₁‑C₄亚烷基，且Y₁和Y₂可分别为H或‑OH，且R₃、Y₁和Y₂中的至少一者含有‑OH。

本申请是申请日为2014年11月7日、中国申请号为201410625929.3、发明名称为“光阻脱除剂和电子元件及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明是有关于一种光阻脱除剂，且特别是有关于一种含有仲或叔醇胺、含有极性溶剂更含有醇醚类化合物的光阻脱除剂。

先前技术

一般来说，半导体积体电路的制程基本上是通过以下步骤进行：在基板上形成材料层；将光阻涂布在该材料层上；选择性地对光阻进行曝光及显影，以形成图案；以光阻图案作为遮罩，对该材料层进行蚀刻，进而将微电路图案转移至光阻下层；最后，使用光阻剥除剂，将不必要的光阻层移除。

对光阻剥除剂来说，其高剥除能力和低腐蚀性是两样基本的要求。高剥除能力确保在冲洗之后没有光阻材料残留在基板上；而低腐蚀性则是避免光阻下层的金属或介电材料受损。此外，光阻剥除剂还可能额外要求高温稳定性、低挥发性、储存稳定性、低毒性等特性。

发明内容

本发明提供一种光阻脱除剂，可以在去除光阻的同时对光阻下层材料保持良好抗腐蚀效果。本发明另外提供使用此种光阻脱除剂移除基板上的光阻的电子元件的制造方法，以及由此制造方法制作的电子元件。

本发明的光阻脱除剂包括由式1表示的醇醚类化合物、选自式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物的极性溶剂以及由式4表示的至少一种仲醇胺或至少一种叔醇胺：

其中