[发明专利]一种针对QFN的开尔文测试插座在审

专利信息
申请号: 202010964476.2 申请日: 2020-09-15
公开(公告)号: CN112083315A 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 殷岚勇;杨菊芬 申请(专利权)人: 苏州韬盛电子科技有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R1/04
代理公司: 北京华际知识产权代理有限公司 11676 代理人: 范登峰
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 针对 qfn 开尔文 测试 插座
【权利要求书】:

1.一种针对QFN的开尔文测试插座,包括插座主体(1),其特征在于:所述插座主体(1)的底端设置有芯片测试腔(2),所述芯片测试腔(2)的顶端设置有测试板(3),所述测试板(3)的顶端设置有被测试芯片(4),所述被测试芯片(4)与测试板(3)之间设有导电胶带(5),所述导电胶带(5)的上下两侧均设有弹片(6),所述插座主体(1)的顶端设有底部盖板(7)。

2.根据权利要求1所述的一种针对QFN的开尔文测试插座,其特征在于:所述弹片(6)的材质为铜金属制成,且弹片(6)的厚度不大于0.1MM。

3.根据权利要求1所述的一种针对QFN的开尔文测试插座,其特征在于:所述弹片(6)的表面冲压形成若干弹性凸片(61),且弹性凸片(61)呈矩形阵列的形式分布在弹片(6)的表面。

4.根据权利要求1所述的一种针对QFN的开尔文测试插座,其特征在于:两个所述弹片(6)的弹性凸片(61)分别与测试板(3)和被测试芯片(4)接触,且弹性凸片(61)的形状呈弧形设置。

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