[发明专利]一种力学传感器用铌酸锂单晶薄膜图形化刻蚀方法

权利要求书

1.一种力学传感器用铌酸锂单晶薄膜图形化刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：

制作铌酸锂薄膜；

清洗上述铌酸锂薄膜；

在上述铌酸锂薄膜表面涂覆光刻胶或溅射金属薄膜，使用紫外光刻技术得到刻蚀用掩膜层；

使用丙酮浸泡铌酸锂薄膜，剥离薄膜表面光刻胶；

使用离子束刻蚀机对铌酸锂薄膜刻蚀；

将刻蚀后薄膜进行标准清洗清除表面光刻胶残留获得铌酸锂薄膜图形化结构。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在上述的制作铌酸锂薄膜中，包括：离子注入铌酸锂晶片形成损伤层，与带有氧化层的硅片直接键合，高温退火剥离，化学-机械抛光，得到集成于硅片上的铌酸锂薄膜。

3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，上述的铌酸锂薄膜厚度应大于等于4μm且小于等于5μm，所述铌酸锂薄膜厚度小于上述掩膜层的厚度。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在上述的在上述铌酸锂薄膜表面涂覆光刻胶或溅射金属薄膜，使用紫外光刻技术得到刻蚀用掩膜层中，包括：所述光刻胶的厚度大于5μm且小于10μm。

5.根据权利要求1或4所述的刻蚀方法，其特征在于，在上述的在上述铌酸锂薄膜表面涂覆光刻胶或溅射金属薄膜，使用紫外光刻技术得到刻蚀用掩膜层中，还包括：将光刻胶于120℃的热板上烘30min。

6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在上述的在上述铌酸锂薄膜表面涂覆光刻胶或溅射金属薄膜，使用紫外光刻技术得到刻蚀用掩膜层中，包括：所述金属薄膜的厚度应大于等于7μm且小于等于15μm；所述金属薄膜采用电镀Ni或磁控溅射Cr形成。

7.根据权利要求1或6所述的刻蚀方法，其特征在于，在上述的在上述铌酸锂薄膜表面涂覆光刻胶或溅射金属薄膜，使用紫外光刻技术得到刻蚀用掩膜层中，还包括：在铌酸锂薄膜表面生长20nmTi种子层或粘附层。

8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在上述的在上述铌酸锂薄膜表面涂覆光刻胶或溅射金属薄膜，使用紫外光刻技术得到刻蚀用掩膜层中，还包括：所述光刻胶的厚度大于所述金属薄膜的厚度。

9.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在上述的清洗上述铌酸锂薄膜中，包括：采用RCA 1#清洗液清洗，其中，上述RCA 1#清洗液包括，NH₃·H₂O∶H₂O₂∶H₂O＝1∶3∶7或NH₃·H₂O∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶7。

10.根据权利要求1或9所述的刻蚀方法，其特征在于，在上述的将刻蚀后薄膜进行标准清洗清除表面光刻胶残留获得铌酸锂薄膜图形化结构中，包括：依次采用丙酮、异丙醇、无水乙醇以及去离子水分别对上述铌酸锂薄膜进行超声清洗15-20min。