[发明专利]一种光子晶体LED结构及制作方法

权利要求书

1.一种光子晶体LED结构，其特征在于，所述光子晶体LED结构包括：

衬底；

设置在所述衬底一侧的外延层结构，所述外延层结构具有GaP窗口层；所述GaP窗口层上具有第一中间区域和包围所述第一中间区域的第一周边区域；

位于所述第一中间区域的第一凹槽，以及位于所述第一周边区域的多个第一孔槽；

设置在所述GaP窗口层背离所述衬底一侧的ITO层，所述ITO层填充所述第一凹槽和所述第一孔槽；

其中，所述GaP窗口层和所述ITO层通过所述第一凹槽的接触界面为电流阻挡界面。

2.根据权利要求1所述的光子晶体LED结构，其特征在于，所述ITO层背离所述GaP窗口层的表面具有第二中间区域和包围所述第二中间区域的第二周边区域；所述第二周边区域和所述第一周边区域在垂直于所述衬底方向上的正投影重合；

所述光子晶体LED结构还包括：

位于所述第二周边区域的多个第二孔槽。

3.根据权利要求2所述的光子晶体LED结构，其特征在于，多个所述第一孔槽和多个所述第二孔槽呈正方周期排列。

4.根据权利要求2所述的光子晶体LED结构，其特征在于，多个所述第一孔槽和多个所述第二孔槽呈六角周期排列。

5.根据权利要求2所述的光子晶体LED结构，其特征在于，所述光子晶体LED结构还包括：

设置在所述ITO层背离所述衬底一侧的P电极。

6.根据权利要求1所述的光子晶体LED结构，其特征在于，所述第一凹槽和所述第一孔槽的深度相同。

7.根据权利要求1所述的光子晶体LED结构，其特征在于，所述第一凹槽和所述第一孔槽的深度为50nm-200nm。

8.根据权利要求1所述的光子晶体LED结构，其特征在于，所述ITO层的厚度为50nm-500nm。

9.根据权利要求1所述的光子晶体LED结构，其特征在于，所述GaP窗口层通过所述第一凹槽暴露出的区域为低掺杂区域，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3。

10.根据权利要求1所述的光子晶体LED结构，其特征在于，所述GaP窗口层设置所述第一孔槽的区域为高掺杂区域，掺杂浓度为2×10¹⁹cm^-3。

11.一种光子晶体LED结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧形成外延层结构，所述外延层结构具有GaP窗口层；所述GaP窗口层上具有第一中间区域和包围所述第一中间区域的第一周边区域；

对所述第一中间区域进行刻蚀形成第一凹槽，以及对所述第一周边区域进行刻蚀形成多个第一孔槽；

在所述GaP窗口层背离所述衬底的一侧形成ITO层，所述ITO层填充所述第一凹槽和所述第一孔槽；

其中，所述GaP窗口层和所述ITO层通过所述第一凹槽的接触界面为电流阻挡界面。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述ITO层背离所述GaP窗口层的表面具有第二中间区域和包围所述第二中间区域的第二周边区域；所述第二周边区域和所述第一周边区域在垂直于所述衬底方向上的正投影重合；

所述制作方法还包括：

对所述第二周边其区域进行刻蚀形成多个所述第二孔槽；

其中，所述第二孔槽和所述第一孔槽交错设置。